Russian Federation
Russian Federation
Russian Federation
Russian Federation
In the article the questions of modeling of failures of all types from exposure to heavy charged particles in semiconductor structures for integrated circuits, made by deep-submicron technologies. Based on the simulation estimates of the dependence of failure section from the amount of energy of the particles.
design automation, heavy charged particles, radiation, chip.
В работе предложен алгоритм оценки стойкости изделий к одиночным событиям [1-4].
Данный алгоритм направлен на выявление карты отказов, которые вызывают в СБИС воздействие потоков тяжелых заряженных частиц [5].
Вначале задается поток частиц и линейные потери энергии, которые соответствуют данным частицам (рис. 1). Затем микросхемы разбивается на участки с шагом, который соответствует половине проектной нормы.
На следующем этапе проектировщик определяет кластерные участки, которые будут соответствовать отказам изделий. Такой выбор проводится из опыта схемотехнических работ. При этом выбор определяется топологией элементов в виде карты соответствия отказов. Проектировщик рассматривает топологическую карту всего изделия и накладывает на нее точки попадания частиц. Результатом такой работы является определение кластеров отказов – фактически устанавливается набор кластеров, состоящий из нескольких ячеек.
1. Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. - 2014. - № 6. - S. 94-98.
2. Zol´nikov, K. V. Metod i algoritm poiska defektov dlya radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. V. Achkasov, V. I. Antsiferova, S. A. Evdokimova. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 2. - S. 10-13.
3. Achkasov, V. N. Matematicheskoe obespechenie preobrazovaniya elementov s uchetom radiatsii so skhemotekhnicheskogo na funktsional´no-logicheskiy uroven´ [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov, M. V. Konorev. Materialy pervoy Rossiyko-belorusskoy nauchno-tekhnicheskoy konferentsii «Elementnaya baza otechestvennoy elektroniki». - N. Novgorod : Izd. NNGU. - 2013. - S. 68-71.
4. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.
5. Achkasov, V. N. Algoritm modelirovaniya rabotosposobnosti mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya vneshnikh faktorov v podsisteme SAPR IET [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 16-19.
