Россия
Россия
Россия
Россия
В работе рассмотрены вопросы моделирования отказов всех типов от воздействия тяжелых заряженных частиц в полупроводниковых структурах для микросхем, выполненных по глубоко-субмикронным технологиям. На основе моделирования приводятся оценки зависимости сечения сбоев от величины энергии частиц.
Автоматизация проектирования, тяжелые заряженные частицы, радиация, микросхемы.
В работе предложен алгоритм оценки стойкости изделий к одиночным событиям [1-4].
Данный алгоритм направлен на выявление карты отказов, которые вызывают в СБИС воздействие потоков тяжелых заряженных частиц [5].
Вначале задается поток частиц и линейные потери энергии, которые соответствуют данным частицам (рис. 1). Затем микросхемы разбивается на участки с шагом, который соответствует половине проектной нормы.
На следующем этапе проектировщик определяет кластерные участки, которые будут соответствовать отказам изделий. Такой выбор проводится из опыта схемотехнических работ. При этом выбор определяется топологией элементов в виде карты соответствия отказов. Проектировщик рассматривает топологическую карту всего изделия и накладывает на нее точки попадания частиц. Результатом такой работы является определение кластеров отказов – фактически устанавливается набор кластеров, состоящий из нескольких ячеек.
1. Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98.
2. Зольников, К. В. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 10-13.
3. Ачкасов, В. Н. Математическое обеспечение преобразования элементов с учетом радиации со схемотехнического на функционально-логический уровень [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников, М. В. Конорев // Материалы первой Российко-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной электроники». - Н. Новгород : Изд. ННГУ. - 2013. - С. 68-71.
4. Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.
5. Ачкасов, В. Н. Алгоритм моделирования работоспособности микросхем в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 16-19.
