Modeling of systems and processesModeling of systems and processesМоделирование систем и процессов2219-07671030410.12737/17166Технические наукиТехнические наукиTHE ALGORITHMIC BASIS OF MODELLING OF FAILURES FROM EXPOSURE TO HEAVY CHARGED PARTICLES IN VLSI, MADE BY DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIESАлгоритмическая основа моделирования отказов от воздействия тяжелых заряженных частиц в СБИС, выполненных по глубоко-субмикронным технологиямАчкасовАлександр ВладимировичAchkasovA. VladimirovichЯньковАндрей ИльичYankovA. Il'ichЗольниковКонстантин ВладимировичZolnikovKonstantin VladimirovichЧубурКирилл АлександровичChuburK. A.Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovООО "НПП "Детектор"РоссияLLC «SPE Detector»Russian FederationВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваРоссияVoronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovRussian FederationВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. МорозоваRUFSBE Institution of Higher Education Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. MorozovRU1101201611012016833638https://naukaru.ru/en/nauka/article/10304/view
В работе рассмотрены вопросы моделирования отказов всех типов от воздействия тяжелых заряженных частиц в полупроводниковых структурах для микросхем, выполненных по глубоко-субмикронным технологиям. На основе моделирования приводятся оценки зависимости сечения сбоев от величины энергии частиц.
In the article the questions of modeling of failures of all types from exposure to heavy charged particles in semiconductor structures for integrated circuits, made by deep-submicron technologies. Based on the simulation estimates of the dependence of failure section from the amount of energy of the particles.
В работе предложен алгоритм оценки стойкости изделий к одиночным событиям [1-4].Данный алгоритм направлен на выявление карты отказов, которые вызывают в СБИС воздействие потоков тяжелых заряженных частиц [5].Вначале задается поток частиц и линейные потери энергии, которые соответствуют данным частицам (рис. 1). Затем микросхемы разбивается на участки с шагом, который соответствует половине проектной нормы. На следующем этапе проектировщик определяет кластерные участки, которые будут соответствовать отказам изделий. Такой выбор проводится из опыта схемотехнических работ. При этом выбор определяется топологией элементов в виде карты соответствия отказов. Проектировщик рассматривает топологическую карту всего изделия и накладывает на нее точки попадания частиц. Результатом такой работы является определение кластеров отказов – фактически устанавливается набор кластеров, состоящий из нескольких ячеек.
Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98.Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. - 2014. - № 6. - S. 94-98.Зольников, К. В. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 10-13.Zol´nikov, K. V. Metod i algoritm poiska defektov dlya radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. V. Achkasov, V. I. Antsiferova, S. A. Evdokimova. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 2. - S. 10-13.Ачкасов, В. Н. Математическое обеспечение преобразования элементов с учетом радиации со схемотехнического на функционально-логический уровень [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников, М. В. Конорев // Материалы первой Российко-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной электроники». - Н. Новгород : Изд. ННГУ. - 2013. - С. 68-71.Achkasov, V. N. Matematicheskoe obespechenie preobrazovaniya elementov s uchetom radiatsii so skhemotekhnicheskogo na funktsional´no-logicheskiy uroven´ [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov, M. V. Konorev. Materialy pervoy Rossiyko-belorusskoy nauchno-tekhnicheskoy konferentsii «Elementnaya baza otechestvennoy elektroniki». - N. Novgorod : Izd. NNGU. - 2013. - S. 68-71.Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.Ачкасов, В. Н. Алгоритм моделирования работоспособности микросхем в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 16-19.Achkasov, V. N. Algoritm modelirovaniya rabotosposobnosti mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya vneshnikh faktorov v podsisteme SAPR IET [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 16-19.