Россия
Россия
АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Россия
Предложен алгоритм оценки стойкости микросхем к одиночным событиям. Рассчитывается пространственное и временное распределение воздействия частиц на микросхему . Результатом является карта отказов СБИС как временная последовательность
Проектирование, микросхема, радиация
В работе предложен алгоритм оценки стойкости изделий к одиночным событиям [1, 2]. Данный алгоритм (рис. 1) направлен на выявление карты отказов, которые вызывают в СБИС воздействие потоков тяжелых заряженных частиц.
Вначале задается поток частиц и линейные потери энергии, которые соответствуют данным частицам. Затем микросхемы разбивается на участки с шагом, который соответствует половине проектной нормы.
На следующем этапе проектировщик определяет кластерные участки, которые будут соответствовать отказам изделий. Такой выбор проводится из опыта схемотехнических работ. При этом выбор определяется топологией элементов в виде карты соответствия отказов. Проектировщик рассматривает топологическую карту всего изделия и накладывает на нее точки попадания частиц. Результатом такой работы является определение кластеров отказов – фактически устанавливается набор кластеров, состоящий из нескольких ячеек.
1. Зольников, К. В. Определение вероятности безотказной работы при структурной оптимизации элементов сложных функциональных блоков в САПР [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Смерек, А. И. Яньков, М. В. Конарев, Н. А. Орликовский, А. В. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 35-37.
2. Смерек, В. А. Микроконтроллер 1830ВЕ32У - 8-разрядная архитектура MSC-51 в радиационно-стойком исполнении [Текст] / В. А. Смерек, А. И. Яньков, А. В. Крюков // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)" : сборник трудов. - 2010. - № 1. - С.279-282.
