В данной работе рассмотрено влияние термического отжига на степень шероховатости монокристаллического кремния. Было выявлено, что термический отжиг приводит к уменьшению шероховатости поверхности
кремний, термическая обработка, шероховатость
К настоящему времени существуют отработанные и хорошо известные методы получения кремния с необходимыми параметрами: величина пористости, морфология поверхности и структурные характеристики. Однако, использование кремния в создании электронных устройств требует всестороннего изучения электрических параметров этого чрезвычайно многообразного по свойствам материала.
Было установлено, что, благодаря развитой структуре с огромной удельной площадью поверхности (до 1000 м2/см3), слои обладают высокой химической активностью, что значительно ускоряет протекание таких технологических процессов как диффузия, окисление, эпитаксия геттерирование и т.д. На основе кремния можно изготавливать пассивные оптические элементы: интерференционные фильтры и дифракционные решетки. Кроме того кремний применяется в электрохимических сенсорах для реализации избирательной проницаемости мембран заданными веществами [1] и в качестве жертвенного слоя в технологии кремниевых микромашин [2].
Однако возможности экстенсивного развития технологии кремния в настоящее время исчерпаны. Поэтому исследования различных качественных методик, совершенствующих физические свойства монокристаллов кремния, сегодня очень интересны и актуальны.
Наименее исследованными областями остаются вопросы влияния внешних воздействий (термическая обработка, облучение высокоэнергетическими частицами, деформации и т.д.) на электрические параметры кремниевых полупроводников и аспекты целенаправленной модификации электрических свойств материала. В литературе крайне редко встречается анализ влияния термического отжига и электронного облучения (практически отсутствует информация о воздействии высокоэнергетических электронов) на электрофизические параметры кремниевых полупроводников.
В качестве исследуемых образцов использовались пластины монокристалличного кремния. Термическая обработка исследуемых образцов проводилась при температуре 400ºС в течение 10 мин и 60 мин в муфельной печи Nabertherm LE 4 /11/r6 в кислородной атмосфере. После отжига образцы охлаждались до комнатной температуры. Исследование структурных характеристик и элементного состава до и после термического отжига проводилось с использованием растрового электронного микроскопа Hitachi TM3030 с системой микроанализа Bruker XFlash MIN SVE при ускоряющем напряжении 15 кВ.
1. Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1991.Vol. 57.P. 1046-1048.
2. Taliercio Т., Dilhan M., Massone E., Foucaran A., Guer A.M., Bretagnon Т., Fraisse В., Montes L. // Sensors and Actuators A. 1995.Vol. 46-47.P. 43-46.
