ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУР В МИКРОСХЕМАХ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ К ВОЗДЕЙСТВИЮ КОСМИЧЕСКИХ ЧАСТИЦ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В статье рассматривается влияние эффектов масштабирования на стойкость интегральных схем (ИС) при воздействии космических частиц. Выделяют два направления масштабирования: уменьшение топологических размеров элементов ИС и оптимизация энергопотребления за счет конструктивно-технологических решений. В работе проанализированы основные эффекты (SEU, SEL, SEHE, SEGR и MBU) на чувствительность ИС к одиночным событиям (ОС).

Ключевые слова:
тяжелые заряженные частицы, одиночные события, интегральные схемы, стойкость, степень интеграции, эффект масштабирования
Список литературы

1. Скляр, В. А. Моделирование низкоинтенсивного воздействия космического пространства / В. А. Скляр, В. К. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. – 2016. – Т. 9, № 2. – С. 71-74.

2. Зольников, В. К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2004. – № 1-2. – С. 57-60.

3. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). – 2012. – № 1. – С. 634-637.

4. Потапов, И. П. Одиночные события в КМОП-изделиях при воздействии отдельных заряженных частиц / И. П. Потапов, С. С. Васильев, Д. Г. Хорющин // Информационные технологии моделирования и управления. 2006. – № 8 (33). – С. 979-986.

5. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 2. – С. 5-9.

6. Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В. П. Крюков, К. В. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 4. – С. 41-44.

7. Зольников, В. К. Методы верификации сложно-функциональных блоков в САПР для микросхем глубоко субмикронных проектных норм / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 1. – С. 16-24.

8. Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. – 2010. – № 1-2. – С. 41-48.

9. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т. 4, № 4 (16). – С. 280-291.

10. Методы проектирования микросхем, стойких к одиночным событиям / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. – 2012. – № 3. – С. 17-20.

11. Моделирование воздействия ТЗЧ в активных областях эле¬ментов микросхем при проектировании / К. В. Зольников, В. А. Смерек, А. В. Ачкасов, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. – 2014. – № 1. – С. 15-17.

12. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых КМОП элементов в процессе проектирования / В.К. Зольников, В.А. Смерек, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 14-16.

13. Зольников, В. К. Практические методики выполнения верификации проектирования микросхем / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. – 2019. – Т. 12, № 1. – С. 25-30.

14. Ачкасов, А. В. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем / А.В. Ачкасов, A.И. Яньков // Приводная техника. – 2006. – № 5. – С. 28-30.