РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ УЛЬТРАБЫСТРЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ РАДИАЦИИ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В статье представлены результаты исследований ультрабыстрых выпрямительных диодов, предназначенных для использования в выпрямителях высокой частоты, модуляторах, преобразователях, формирователях импульсов, ограничителях и других импульсных устройствах при воздействии радиации. Приведены схемы измерения тока и напряжения диодов при воздействии специальных факторов.

Ключевые слова:
Ультрабыстрые выпрямительные диоды, радиация, стойкость, радиоэлектроника, КМОП-технология, время потери работоспособности
Список литературы

1. Ачкасов, А. В. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем / А. В. Ачкасов, A. И. Яньков // Приводная техника. - 2006. - № 5. - С. 28-30.

2. Кривов, А. С. Методическое и техническое обеспечение испытаний изделий электронной промышленности на стойкость к электростатическим разрядам и одиночным импульсам напряжения / А. С. Кривов, В. А. Тухас, А. И. Яньков // Петербургский журнал электроники. - 2017. - № 2-3 (87-88). - С. 111-116.

3. Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В. П. Крюков, К. В. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 41-44.

4. Схемотехнический базис и проверка микросхем на работоспособность / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, А. В. Фомичев, В. Н. Чикин, А. В. Ачкасов, В. Ф. Зинченко // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 4. - С. 25-30.

5. Практические методики выполнения верификации проектирования микросхем / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 1. - С. 25-30.

6. Зольников, В. К. Моделирование сбора заряда при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем / В. К. Зольников, И. П. Потапов, К. И. Таперо // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2010. - № 1. - С. 275-278.

7. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т. 4, № 4 (16). - С. 280-291.

8. Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 1-2. - С. 41-48.

9. Зольников, В. К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - № 1-2. - С. 57-60.

10. Зольников, В. К. Расчетно-экспериментальная оценка стойкости КМОП ИС к ионизирующим излучениям / В. К. Зольников, В. П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2002. - № 4. - С. 104-110.

11. Алгоритмическая основа моделирования отказов от воздействия тяжелых заряженных частиц в СБИС, выполненных по глубоко-субмикронным технологиям / К. В. Зольников, А. В. Ачкасов, А. И. Яньков, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 36-38.

Войти или Создать
* Забыли пароль?