Россия
Россия
АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Исследуется стойкость микропроцессора серии 1867. Полученные результаты показывают, что технология изготовления и примененные схемотехнические решения в процессе проектирования микросхем 1867ВМ7Т в режиме мажорированного ОЗУ полностью избавляют от возникновения одиночных сбоев и тиристорного эффекта при воздействии тяжелых заряженных частиц.
САПР, тяжелые заряженные частицы, микросхема
В последнее время, несмотря на большой накоп-ленный опыт в разработке микросхем для космиче-ского применения, задача обеспечения стойкости является не менее актуальной. Это связано с общим развитием уровня технического прогресса, внедрением новых и совершенствованием существующих технологических процессов, что привело к резкому уменьшению проектных норм и увеличению степени интеграции. Учитывая малые размеры активных областей в данных изделиях, там стали в большей степени проявляться так называемые одиночные события. Это радиационные эффекты, причиной возникновения которых является взаимодействие отдельной (одной) ядерной частицы с активной областью прибора. Данные эффекты относятся к новому классу микродозиметрических радиационных эффектов в электронных приборах и носят вероятностный характер [1].
В настоящее время многими предприятиями ведутся работы по созданию радиационно-стойких сбоеустойчивых микросхем. Специалисты ОАО «НИИЭТ» провели ряд исследований направленных на создание
1. Агаханян, Т. М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Т. М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов. - М. : Энергоатомиздат, 1989.
2. Яньков, А. И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров K1830BE32МУ и 1830ВЕ32У [Текст] / А. И. Яньков, В. А. Смерек, В. П. Крюков, В.К. Зольников. - Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 92-95.
3. Крюков, В. П. Результаты эксериментальных исследований микросхем 1882ВЕ53У, К1882ВЕ53МУ и 1830ВЕ32У на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц [Текст] / В. П. Крюков, А. И. Яньков, В. Г. Калинин, В.А. Смерек. - Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 41-44.
