Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 2319 10.12737/4053 Технические науки Технические науки The results of the study Bouctouche processor series 1867 Результаты исследования сбоеустойчивости процессора серии 1867 Ачкасов Александр Владимирович Achkasov A. Vladimirovich Конарев М. В. Konarev M. В. Яньков Андрей Ильич Yankov A. Il'ich Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Орликовский Н. А. Orlikovskiy N. А. Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Russian Federation ООО "НПП "Детектор" Россия LLC «SPE Detector» Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation 22 05 2014 22 05 2014 6 4 72 74 https://naukaru.ru/en/nauka/article/2319/view

Исследуется стойкость микропроцессора серии 1867. Полученные результаты показывают, что технология изготовления и примененные схемотехнические решения в процессе проектирования микросхем 1867ВМ7Т в режиме мажорированного ОЗУ полностью избавляют от возникновения одиночных сбоев и тиристорного эффекта при воздействии тяжелых заряженных частиц.

Resistance is Investigated microprocessor series 1867. The results show that manufacturing technology and applied circuit solutions in process of designing chips VT mode marinovannogo of RAM is entirely eliminate the occurrence of single failures and latch-up when exposed to heavy charged particles.

 САПР тяжелые заряженные частицы микросхема CAD heavy charged particles chip

В последнее время, несмотря на большой накоп-ленный опыт в разработке микросхем для космиче-ского применения, задача обеспечения стойкости является не менее актуальной. Это связано с общим развитием уровня технического прогресса, внедрением новых и совершенствованием существующих технологических процессов, что привело к резкому уменьшению  проектных норм и увеличению степени интеграции. Учитывая малые размеры активных областей в данных изделиях, там стали в большей степени проявляться так называемые одиночные события. Это радиационные эффекты, причиной возникновения которых является взаимодействие отдельной (одной) ядерной частицы с активной областью прибора. Данные эффекты относятся к новому классу микродозиметрических радиационных эффектов в электронных приборах и носят вероятностный характер [1].В настоящее время многими предприятиями ведутся работы по созданию радиационно-стойких сбоеустойчивых микросхем. Специалисты ОАО «НИИЭТ» провели ряд исследований направленных на создание 

Агаханян, Т. М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Т. М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов. - М. : Энергоатомиздат, 1989. Agakhanyan, T. M. Radiatsionnye effekty v integral´nykh mikroskhemakh [Tekst] / T. M. Agakhanyan, E. R. Astvatsatur´yan, P. K. Skorobogatov. - M. : Energoatomizdat, 1989. Яньков, А. И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров K1830BE32МУ и 1830ВЕ32У [Текст] / А. И. Яньков, В. А. Смерек, В. П. Крюков, В.К. Зольников. - Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 92-95. Yan´kov, A. I. Metody obespecheniya sboeustoychivosti k odinochnym sobytiyam v protsesse proektirovaniya dlya mikroprotsessorov K1830BE32MU i 1830VE32U [Tekst] / A. I. Yan´kov, V. A. Smerek, V. P. Kryukov, V.K. Zol´nikov. - Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 1. - S. 92-95. Крюков, В. П. Результаты эксериментальных исследований микросхем 1882ВЕ53У, К1882ВЕ53МУ и 1830ВЕ32У на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц [Текст] / В. П. Крюков, А. И. Яньков, В. Г. Калинин, В.А. Смерек. - Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 41-44. Kryukov, V. P. Rezul´taty ekserimental´nykh issledovaniy mikroskhem 1882VE53U, K1882VE53MU i 1830VE32U na stoykost´ k vozdeystviyu tyazhelykh zaryazhennykh chastits [Tekst] / V. P. Kryukov, A. I. Yan´kov, V. G. Kalinin, V.A. Smerek. - Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 4. - S. 41-44.