AO "Nauchno-issledovatel'skiy institut elektronnoy tehniki"
Russian Federation
The correlation for the ionization current in the sensitive volume of VLSI. The technique of changing parameters for a given ratio
CAD, ionization current, local radiation effects
Известна форма зависимости изменения тока потребления со временем, состоящая из двух частей: «начальной», которая соответствует подъему или нарастанию тока ионизации и конечной, которая соответствует спаду тока ионизации [1, 2].
Задача состоит в том, чтобы описать этот процесс единой математической формулой.
Первое наше допущение будет состоять в том, что данная зависимость описывается функцией экспоненциального характера. Тогда такую зависимость можно представить в виде двух функций.
В момент попадания ТЗЧ на схему значения тока ионизации начинает увеличиваться, и описывается следующим выражением
(1)
Зависимость значения тока ионизации от времени представлена на рис. 1.
Достигнув насыщения в моменты времени tнас значения тока будет максимальным.
(2)
На рис. 2 представлено уменьшение тока ионизации со временем.
Рис. 1. Возрастание тока ионизации при попадании частицы в первый момент воздействия ТЗЧ
Рис. 2. Уменьшение тока ионизации от времени при «рассасывании» носителей заряда, образовавшихся
после попадания частицы
1. Zol´nikov, K. V. Modelirovanie raboty komponentov mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya radiatsii v SAPR [Tekst] / K. V. Zol´nikov, Yu. A. Chevychelov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 14-17.
2. Zol´nikov, K. V. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.
