MATHEMATICAL RATIOS TO IONIZATION CURRENT CORRESPONDS TO A DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGY
Abstract and keywords
Abstract (English):
The correlation for the ionization current in the sensitive volume of VLSI. The technique of changing parameters for a given ratio

Keywords:
CAD, ionization current, local radiation effects
Text

 

Известна форма зависимости изменения тока потребления со временем, состоящая из двух частей: «начальной», которая соответствует подъему или нарастанию тока ионизации и конечной, которая соответствует спаду тока ионизации [1, 2].

 

Задача состоит в том, чтобы описать этот процесс единой математической формулой.

 

Первое наше допущение будет состоять в том, что данная зависимость описывается функцией экспоненциального характера. Тогда такую зависимость можно представить в виде двух функций.

 

В момент попадания ТЗЧ на схему значения тока ионизации начинает увеличиваться, и описывается следующим выражением

 

                        (1)

 

Зависимость значения тока ионизации от времени представлена на рис. 1.

 

Достигнув насыщения в моменты времени tнас значения тока будет максимальным.

 

                            (2)

 

На рис. 2 представлено уменьшение тока ионизации со временем.

 

 

Рис. 1. Возрастание тока ионизации при попадании частицы в первый момент воздействия ТЗЧ

 

 

Рис. 2. Уменьшение тока ионизации от времени при «рассасывании» носителей заряда, образовавшихся
после попадания частицы

 

References

1. Zol´nikov, K. V. Modelirovanie raboty komponentov mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya radiatsii v SAPR [Tekst] / K. V. Zol´nikov, Yu. A. Chevychelov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 14-17.

2. Zol´nikov, K. V. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.

Login or Create
* Forgot password?