Россия
Рассматриваются соотношения для тока ионизации в чувствительном объеме СБИС. Предложена методика изменения параметров для данного соотношения
САПР, ток ионизации, локальные радиационные эффекты
Известна форма зависимости изменения тока потребления со временем, состоящая из двух частей: «начальной», которая соответствует подъему или нарастанию тока ионизации и конечной, которая соответствует спаду тока ионизации [1, 2].
Задача состоит в том, чтобы описать этот процесс единой математической формулой.
Первое наше допущение будет состоять в том, что данная зависимость описывается функцией экспоненциального характера. Тогда такую зависимость можно представить в виде двух функций.
В момент попадания ТЗЧ на схему значения тока ионизации начинает увеличиваться, и описывается следующим выражением
(1)
Зависимость значения тока ионизации от времени представлена на рис. 1.
Достигнув насыщения в моменты времени tнас значения тока будет максимальным.
(2)
На рис. 2 представлено уменьшение тока ионизации со временем.
Рис. 1. Возрастание тока ионизации при попадании частицы в первый момент воздействия ТЗЧ
Рис. 2. Уменьшение тока ионизации от времени при «рассасывании» носителей заряда, образовавшихся
после попадания частицы
1. Зольников, К. В. Моделирование работы компонентов микросхем в условиях воздействия радиации в САПР [Текст] / К. В. Зольников, Ю. А. Чевычелов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 14-17.
2. Зольников, К. В. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.
