Россия
Рассматриваются алгоритмы логико-временного анализа, моделирование неисправностей для компонентов цифровой микросхемы. В данной работе автором предложен ускоренный алгоритм моделирования неисправностей
САПР, неисправности, микросхема
Основой программных средств функционально-логического моделирования является алгоритмы логико-временного анализа (ЛВА), моделирование неисправностей (МН) и используемая библиотека моделей блоков или компонентов цифровой ИС. В данной работе автором предложен ускоренный алгоритм моделирования неисправностей, а также расширенна библиотека моделей блоков ИС.
Касаясь библиотеки компонентов моделей цифровых ИС можно сказать, что она расширена введением в сеть логических элементов, представленных на транзисторном уровне, что позволило большему выявлению неисправностей. То есть удалось заложить основу универсальности и возможности управления основными параметрами моделирования - точностью результатов и темпом их получения.
С этой же целью элементы ЦС представляются как структурными, так и функциональными моделями. В базис моделирования включен достаточный и необходимый набор простейших логических элементов (в том числе и на транзисторном уровне), а также разработанные функциональные модели (базовых вентилей, регистров, булевых выражений, ПЛМ, ПЗУ, микропроцессоров) и наиболее распространенных микросхем (базис ТЭЗов). На основе данной библиотеки и созданных инструментальных средств можно легко создать другие модели.
Для решения основных задач ФЛМ достаточно использование трехзначного алфавита моделирования (1, 0, X), однако, на самом низком уровне моделирования предложено использовать 13-значный алфавит,который обеспечивает достаточную точность. В то же время пользователю представлена возможность управлять заданием алфавита моделирования.
Рассматривая моделирование неисправностей, можно сказать, что основная идея алгоритма ускоренного моделирования неисправностей заключается в определении параметров наблюдаемости линий схемы по результатам исправного моделирования анализируемого тест-вектора и диагностирования выявленных неисправностей по рассчитанным параметрам.
Процесс моделирования неисправностей в предлагаемом алгоритме можно условно разделить на несколько этапов.
Первый этап - моделирование исправной схемы. Моделирование исправной схемы может осуществляться любым известным способом с учетом задержек на элементах.
Второй этап - нахождение по данным исправного моделирования тестируемых неисправностей.
1. Зольников, В. К. Отбраковка потенциально-ненадежных ИМС с использованием радиационного метода [Текст] / В. К. Зольников // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного комплекса : сб. науч. тр. - Воронеж : ВГЛТА, 1998. - С. 315-319.
2. Зольников, В. К. Оценка показателей стойкости и надежности биполярных ИМС, работающих в полях гамма-излучения малой мощности [Текст] / В. К. Зольников // Труды Военного института радиоэлектроники : Тез. докл. 5 науч.-техн. конф. - Воронеж : Изд-во Военного института радиоэлектроники, 1998. - С. 190.
3. Зольников, В. К. Методы разработки конструктивно-технологического базиса для создания радиационно-стойких ИМС [Текст] / В. Г. Малилин, М. М. Малышев, В. К. Зольников, В. Я. Нисков // Радиационная стойкость электронных систем : науч.-техн. сб. - М. : СПЭЛС-НИИП, 1998. - С. 24.
4. Зольников, В. К. Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности [Текст] / В. К. Зольников // Радиационная стойкость электронных систем : науч.-техн. сб. - М. : СПЭЛС-НИИП, 1998. - С. 61.
