АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Рассматриваются эквивалентная схема замещения для моделирования работоспосбности элементов СБИС на схемотехническом уровне. Предложены математические соотношения для данного процесса.
САПР, ток ионизации, локальные радиационные эффекты
Моделирование воздействия ТЗЧ на схемотехническом уровне заключается во внесении в эквивалентную схему замещения дополнительных генераторов тока, ёмкостей, паразитных биполярных транзисторов и резисторов, которые с некоторой частотой включаются в работу [1].
Для этого к стандартной модели транзистора КМОП (рис. 1) добавляется генератор тока ионизации (
) сопротивление подложки между контактом к ней и стоковым p-n переходом (R) и паразитный транзистор (VT).
Рис. 1. Модель транзистора КМОП с генератором тока ионизации
Генератор тока описывается стандартной функцией, имеющейся в пакете Сadence на основе экспоненциальной функции, так как она практически точно повторяет ток ионизации, теоретически описанный в предыдущей главе. Импульс тока экспоненциальной формы условно разбит на три участка, которые соответствуют току ионизации в состоянии «до», «в процессе воздействия ТЗЧ» и «после воздействия ТЗЧ». Тогда генератор тока задается списком параметров EXP (y1, y2, td, tcr, tr, tfr) и соответствует выражению [2]:
(1)
1. Зольников, К. В. Моделирование работы компонентов микросхем в условиях воздействия радиации в САПР [Текст] / К. В. Зольников, Ю. А. Чевычелов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 14-17.
2. Яньков, А. И. Результаты исследования сбоеустойчевого процессора серии 1867 [Текст] / А. И. Яньков, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников, М. В. Конарев, Н. А. Орликовский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 72-74.
