АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКОВ ОЗУ В СОСТАВЕ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМ С ОБЕСПЕЧЕНИЕМ МИНИМАЛЬНОЙ СБОЕУСТОЙЧИВОСТИ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Статья посвящена вопросам проектирования блоков ОЗУ в составе микропроцессорных систем и методам обеспечения сбоеустойчивости. Рассмотрены структурная схема ОЗУ и процесс воздействия тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) на интегральную схему (ИС) памяти. Особое внимание уделено влиянию биополярного эффекта на сбоеустойчивость элементов ИС, а также возникающим мультибитовым событиям. В статье проводится анализ различных фаз работы ОЗУ и реакций элементов схем памяти на возникновение сбоев, вызванных попаданием ТЗЧ.

Ключевые слова:
Микропроцессор, ОЗУ, проектирование, сбоеустойчивость, тяжелые заряженные частицы, биополярный эффект, мультибитовые события.
Список литературы

1. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы / К. В. Зольников, В. В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41.

2. Зольников, К. В. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения / К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 20-27.

3. Зольников, В. К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 27-30.

4. Зебрев, Г. И. Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования : дис. … д-ра техн. наук : 05.27.01 / Г. И. Зебрев. - М., 2009. - 156 с.

5. Повышение радиационной стойкости операционного усилителя класса LM124 схемотехническими методами / А. А. Лебедев, А. С. Бакеренков, С. И. Диденко, М. С. Горбунов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2013. - № 1. - С. 44-49.

6. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2012. - № 1. - С. 634-637.

7. Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 1-2. - С. 41-48.

8. Результаты экспериментальных исследований микросхем ИС 1882ВЕ53У, 1882ВЕ53УМ И 1830ВЕ32У на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц / В. П. Крюков, А. И. Яньков, В. Г. Калинин, В. А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 41-44.

9. Смульский, А. В. К вопросу обеспечения устойчивости бортовой аппаратуры перспективных космических аппаратов к множественным сбоям от действия отдельных ядерных частиц космического пространства / А. В. Смульский, С. И. Алексеев, Ю. Е. Кудрявцев // Вестник НПО им. С. А. Лавочкина. - 2014. - № 4 (25). - С. 97-102.

10. Алгоритмы конструкторского проектирования базовых элементов радиационно-стойких БИС / В. Е. Межов, П. Р. Машевич, Ю. К. Фортинский, В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2005. - № 1-2. - С. 125-126.

11. Современное состояние разработок элементной базы для систем контроля мониторинга / В. К. Зольников, А. Ю. Кулай, В. П. Крюков, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова, К. А. Яковлев, О. Н. Черкасов // Цифровизация агропромышленного комплекса : сборник научных статей. - Тамбов, 2018. - С. 226-228.

12. Определение вероятности безотказной работы при структурной оптимизации элементов сложных функциональных блоков в САПР / В. А. Смерек, К. В. Зольников, А. И. Яньков, М. В. Конарев, Н. А. Орликовский, А. В. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 35-37.

13. Скляр, В. А. Моделирование низкоинтенсивного воздействия космического пространства / В. А. Скляр, В. К. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т. 9, № 2. - С. 71-74.

Войти или Создать
* Забыли пароль?