Россия
В статье рассмотрены методы обеспечения стойкости к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ) блока ОЗУ микропроцессора. Приводится описание реализации и структурная схема статической памяти на основе dummy-блоков. В работе рассмотрены методы борьбы с биополярным эффектом, которые направлены к контролю потенциала тела транзистора и уменьшения сопротивления. Смоделирована зависимость критического заряда ячейки КНИ-памяти от коэффициента усиления паразитного биополярного транзистора. Для увеличения сбоеустойчивости комбинационных схем, состоящих из управляющей логики и блоков дешифраторов, применяется резервирование на уровне отдельных вентилей.
Тяжелые заряженные частицы, стойкость, сбоеустойчивость, линейные потери энергии, микропроцессор, статическая память
1. Зольников, В. К. Методика проектирования радиационно-стойких интегральных схем / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2004. - № 1-2. - С. 57-60.
2. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К.В. Зольников, В.А. Скляр, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9.
3. Моделирование воздействия ТЗЧ в активных областях элементов микросхем при проектировании / К.В. Зольников, В.А. Смерек, А.В. Ачкасов, В.А. Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 1. - С. 15-17.
4. Методы проектирования сбоеустойчивых 8-разрядных микроконтроллеров к воздействию ТЗЧ / А.И. Яньков, В.А. Смерек, В.П. Крюков, В.К. Зольников, Д.М. Уткин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 4. - С. 73-79.
5. Зольников, В. К. Практические методики выполнения верификации проектирования микросхем / В. К. Зольников, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 1. - С. 25-30.
6. Зебрев, Г. И. Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования : дис. … д-ра техн. наук : 05.27.01 / Г. И. Зебрев. - М., 2009. - 156 с.
7. Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В. П. Крюков, К. В. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 41-44.
8. Арзамасцев, М. Ю.Анализ стойкости к ТЗЧ радиационно-стойкого микроконтроллера 1874BE10T, выполненного по отечественной технологии 0.25 мкм / М. Ю. Арзамасцев, А. И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 1. - С. 4-9.
9. Обобщенная методика проектирования технических блоков высоконадежных программно-технических комплексов специального назначения / В.К. Зольников, Д.М. Уткин, С.А. Евдокимова, В.И. Анциферова // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2014» : сборник тезисов докладов 17-й Всероссийской научно-практической конференции по радиационной стойкости электронных систем. - М. : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2014. - С. 71-72.
10. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2012. - № 1. - С. 634-637.
11. Яньков, А. И. Методика функционального контроля СБИС серии1874 на стойкость к воздействию ТЗЧ КП / А. И. Яньков, В. А. Смерек // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2011» : сборник материалов докладов Российской научной конференции. - М. : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». - 2011. - С. 182-184.
12. Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 1-2. - С. 41-48.
13. Зольников, В. К. Результаты испытаний изделий к воздействию ТЗЧ / В. К. Зольников, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т. 9, № 2. - С. 66-70.
