АНАЛИЗ МАТЕМАТИЧЕСКИХ ЗАВИСИМОСТЕЙ EKV МОДЕЛИ ДЛЯ ФОРМАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕДУР ПРОЕКТИРОВАНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования МОП – транзисторов.

Ключевые слова:
Формализация процедур проектирования, САПР, МОП – транзисторы, математические зависимости, EKV модель.
Текст

I. Введение

В настоящее время совершенствуются методы решения задач в различных областях деятельности с помощью современных информационных технологий. Одним из таких направлений исследования являются методы синтеза виртуальной реальности. С этой целью возникает необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к методам синтеза виртуальной реальности.

 

Поэтому в данной статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования электронной компонентной базы (на примере МОП-транзисторов) применительно к методам синтеза виртуальной реальности в САПР.

Список литературы

1. Петросянц, К. О. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП - транзисторов, учитывающая радиационные эффекты [Электронный ресурс] / Петросянц К.О. , Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С. // http://miem.hse.ru/data/2013/01/23/1306490252/ 8_Петросянц_EKV_rad.pdf

2. Bogatyrev, V. N. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - С. 667.

3. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. - P.328.

4. http://yandex.ru/clck/jsredir?from=yandex.ru %3Byandsearch%3Bweb%3B%3B&text=&etext=577.se_JKmluuUUqZLLsXbG3-4MGQ6cjZ6Vl5v3Nl kZ3 BjfrD-B4n6Kgc The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation.

5. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.

6. Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.

7. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.

8. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.

9. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.

10. Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4. №4 (16). - С. 280-291.

Войти или Создать
* Забыли пароль?