Russian Federation
In article is considered mathematical dependencies EKV models to formalize procedures of the designing MOS-transistor.
formalization of the designing procedures, CAD, MOS - transistors, mathematical dependencies, EKV model.
I. Введение
В настоящее время совершенствуются методы решения задач в различных областях деятельности с помощью современных информационных технологий. Одним из таких направлений исследования являются методы синтеза виртуальной реальности. С этой целью возникает необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к методам синтеза виртуальной реальности.
Поэтому в данной статье рассматриваются математические зависимости EKV модели для формализации процедур проектирования электронной компонентной базы (на примере МОП-транзисторов) применительно к методам синтеза виртуальной реальности в САПР.
1. Petrosyants, K. O. Makromodel´ EKV-RAD dlya KNI/KNS MOP - tranzistorov, uchityvayushchaya radiatsionnye effekty [Elektronnyy resurs] / Petrosyants K.O. , Kharitonov I.A., Samburskiy L.M., Adonin A.S.. http://miem.hse.ru/data/2013/01/23/1306490252/ 8_Petrosyants_EKV_rad.pdf
2. Bogatyrev, V. N. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko. V sbornike: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - S. 667.
3. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz. John Wiley & Sons, Ltd. - P.328.
4. http://yandex.ru/clck/jsredir?from=yandex.ru %3Byandsearch%3Bweb%3B%3B&text=&etext=577.se_JKmluuUUqZLLsXbG3-4MGQ6cjZ6Vl5v3Nl kZ3 BjfrD-B4n6Kgc The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation.
5. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.
6. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.
7. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.
8. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.
9. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.
10. Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4. №4 (16). - S. 280-291.
