Россия
Россия
В работе рассмотрены вопросы изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства. Освещено моделирование процесса накопления дефектов для низкоинтенсивного излучения.
Автоматизация проектирования, радиация, микросхемы.
Рассматривается моделирование накопления заряда в полупроводниковых структурах КМОП транзистора при воздействии излучения малой мощности; предложены соотношения для изменения порогового напряжения и подвижности в зависимости от мощности дозы, времени и температуры; рассматриваются методы получения всех коэффициентов в данных соотношениях для различных технологий, топологических норм и схемотехнических решений [1-4].
1. Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98.
2. Зольников, К. В. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 10-13.
3. Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76.
4. Ачкасов, В. Н. Алгоритм моделирования работоспособности микросхем в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 16-19.
5. Таперо, К. И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. [Текст] : дис. … канд. ф.-м. наук / К. И. Таперо. - Москва, 1997.
