Россия
В работе рассмотрены вопросы определения значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии. Освещено моделирование процесса накопления поверхностных состояний.
Автоматизация проектирования, радиация, микросхемы.
Важным моментом при проведении моделирования является определение значений параметров, которые входят в уравнения непрерывности для процессов, приводящих к возникновению ответственных за накопление заряда дефектов. Довольно часто моделирование проводят расчетно-экспериментальным методом с подбором параметров модели по критерию наилучшего совпадения экспериментальных данных и результатов расчетов [1-5].
Данный подход оправдан, так как параметры, которые определяют кинетику зарядовых процессов, во многом зависят от конструктивно-технологического исполнения и исходного состояния МОП-структуры, подвергшейся действию облучения. При отсутствии данных, полученных экспериментальным путем, для моделируемых структур для выбора параметров модели следует руководствоваться рекомендациями приведенными ниже.
1. Скляр, В. А. Учет электрофизических эффектов субмикронного уровня при проектировании современных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, И. В. Нагорный / Моделирование систем и процессов. - 2012. - №3. - С. 42-44.
2. Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98.
3. Скляр, В. А. Создание тестовых последовательностей [Текст] / В. А. Скляр, В. Н. Крюков, В. Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 1. - С. 65-70.
4. Смерек, В. А. Разработка средств повышения радиационной стойкости и создание радиационно-стойких СБИС [Текст] / В. А. Смерек // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 31-33.
5. Смерек, В. А. Реализация методов защиты от одиночных сбоев для микропроцессоров [Текст] / В. А. Смерек, В. М. Антимиров, В. Е. Межов // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 80-87.
6. Таперо, К. И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. [Текст] : дис. … канд. ф.-м. наук / К. И. Таперо. - Москва, 1997.
