Russian Federation
The paper considers the issues of determining the values of the parameters that determine the kinetics of accumulation of charge in the dielectric under radiation effect. Lighted modeling of process of accumulation of surface states.
computer-aided design, radiation, chip.
Важным моментом при проведении моделирования является определение значений параметров, которые входят в уравнения непрерывности для процессов, приводящих к возникновению ответственных за накопление заряда дефектов. Довольно часто моделирование проводят расчетно-экспериментальным методом с подбором параметров модели по критерию наилучшего совпадения экспериментальных данных и результатов расчетов [1-5].
Данный подход оправдан, так как параметры, которые определяют кинетику зарядовых процессов, во многом зависят от конструктивно-технологического исполнения и исходного состояния МОП-структуры, подвергшейся действию облучения. При отсутствии данных, полученных экспериментальным путем, для моделируемых структур для выбора параметров модели следует руководствоваться рекомендациями приведенными ниже.
1. Sklyar, V. A. Uchet elektrofizicheskikh effektov submikronnogo urovnya pri proektirovanii sovremennykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, I. V. Nagornyy / Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - №3. - S. 42-44.
2. Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. - 2014. - № 6. - S. 94-98.
3. Sklyar, V. A. Sozdanie testovykh posledovatel´nostey [Tekst] / V. A. Sklyar, V. N. Kryukov, V. N. Achkasov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 1. - S. 65-70.
4. Smerek, V. A. Razrabotka sredstv povysheniya radiatsionnoy stoykosti i sozdanie radiatsionno-stoykikh SBIS [Tekst] / V. A. Smerek. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2010. - № 3-4. - S. 31-33.
5. Smerek, V. A. Realizatsiya metodov zashchity ot odinochnykh sboev dlya mikroprotsessorov [Tekst] / V. A. Smerek, V. M. Antimirov, V. E. Mezhov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2012. - № 4. - S. 80-87.
6. Tapero, K. I. Kinetika nakopleniya i otzhiga radiatsionnykh defektov v aktivnykh oblastyakh kremnievykh MOP i KMOP struktur. [Tekst] : dis. … kand. f.-m. nauk / K. I. Tapero. - Moskva, 1997.
