THE RESULTS OF THE TESTING OF COMPLEX CHIPS TO THE IMPACT OF HEAVY CHARGED PARTICLES

Published in Modeling of systems and processes · Volume 9, Issue 4 · Pages 14–16
DOI: https://doi.org/10.12737/24576
Received: 09.02.2017 Accepted: 09.02.2017 Published: 09.02.2017 Language of publication: RUS
The article deals with the calculation of single event effects in samples ERIE 5534ТХ014 in various modes. The data presented during the irradiation a single radiation effects.
irradiation of the samples ERIE, thyristor effect, failure events switching events of a single functional failures.
Text References

Объектом испытаний являлись образцы микросхем АЦП с элементами оперативной памяти, функциональное назначение – СБИС типа «система на кристалле»  2...4-канального приемного тракта со встроенным 18-разрядным АЦП и программируемым АЛУ ЦОС. К факторам статического излучения для этих микросхем уже были проведены [1-2].

 

Целью испытаний являлось определение основных информативных зависимостей параметров-критериев годности от значений характеристик спецфакторов, исследование зависимости уровней сбоеустойчивости изделий к воздействию спецфакторов от режимов (электрических, функциональных) и условий работы при воздействии ионов с ЛПЭ.

1. Vybor znacheniy parametrov, opredelyayushchikh kinetiku nakopleniya zaryada v dielektrike pri radiatsionnom vozdeystvii [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. P. Kryukov, V. N. Achkasov, V. A.Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T.8, № 3. - S. 24-26.

2. Raschet izmeneniya skhemotekhnicheskikh parametrov pri vozdeystvii nizkointensivnogo izlucheniya faktorov kosmicheskogo prostranstva [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. S. Groshev, K. A. Chubur. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T. 8, № 3. - S. 27 - 31.