Объектом испытаний являлись образцы микросхем АЦП с элементами оперативной памяти, функциональное назначение – СБИС типа «система на кристалле» 2...4-канального приемного тракта со встроенным 18-разрядным АЦП и программируемым АЛУ ЦОС. К факторам статического излучения для этих микросхем уже были проведены [1-2].
Целью испытаний являлось определение основных информативных зависимостей параметров-критериев годности от значений характеристик спецфакторов, исследование зависимости уровней сбоеустойчивости изделий к воздействию спецфакторов от режимов (электрических, функциональных) и условий работы при воздействии ионов с ЛПЭ.



