В работе предложен алгоритм оценки стойкости изделий к одиночным событиям [1, 2]. Данный алгоритм (рис. 1) направлен на выявление карты отказов, которые вызывают в СБИС воздействие потоков тяжелых заряженных частиц.
Вначале задается поток частиц и линейные потери энергии, которые соответствуют данным частицам. Затем микросхемы разбивается на участки с шагом, который соответствует половине проектной нормы.
На следующем этапе проектировщик определяет кластерные участки, которые будут соответствовать отказам изделий. Такой выбор проводится из опыта схемотехнических работ. При этом выбор определяется топологией элементов в виде карты соответствия отказов. Проектировщик рассматривает топологическую карту всего изделия и накладывает на нее точки попадания частиц. Результатом такой работы является определение кластеров отказов – фактически устанавливается набор кластеров, состоящий из нескольких ячеек.



