Russian Federation
The paper presents some of the design and technological solutions that helped to improve the performance of the Schottky diodes, as well as radically improve their resistance to ionizing radiation. To check the calculations made by the model samples were prepared with a Schottky barrier diode (maximum permissible density of the average forward current - 100 A / cm2, the maximum reverse voltage - 150 V). The studies determined the optimal design of the working part of a Schottky diode, advanced design of the peripheral field-optimized technology for creating the metal-semiconductor interface. During tests carried diodes obtained prototypes it was found that the functional characteristics, as well as resistance to ionizing radiation, were at or better stated requirements
Schottky diodes, radiation emissions, design and technological solutions
I. Введение
Освоение космического пространства и ядерные исследования предъявляют особые требования к защите электронной аппаратуры от ядерного и ионизирующего излучения, что в свою очередь создает необходимость в разработке полупроводниковой компонентной базы (диоды, транзисторы, интегральные микросхемы и др.) стойкой к воздействию специальных факторов.
Одним из важнейших направлений в этой области является разработка и освоение в производстве диодов с барьером Шоттки. Это обусловлено растущим спросом на данный тип изделий со стороны потребителей, которые предъявляют к ним особые требования по стойкости к специальным факторам.
1. Ulimov, V. N. Bazovye mekhanizmy formirovaniya radiatsionnykh effektov v p/p, IS i REA [Tekst] / V. N. Ulimov. - Doklad na konferentsii 2010g. (g. Pitsunda)
2. Kozlov, V. A. Legirovanie poluprovodnikov radiatsionnymi defektami pri obluchenii protonami i α-chastitsami [Tekst] / V. A. Kozlov, V. V. Kozlovskiy. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2001. - Tom 35, vyp. 7. - S. 769-795.
3. Rakhmatov, A. Z Vliyanie pronikayushchey radiatsii na parametry krenievogo planarnogo vysokochastotnogo vysokovol´tnogo vypryamitel´nogo dioda [Tekst] / A. Z. Rakhmatov, M. Yu. Tashmetov, L.S. Sandler. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. - 2001. - № 4. - S. 26-33.
4. Saakyan, V. A. Deystvie razlichnykh vidov obluchniya na parametry kremnievykh poluprovodnikovykh pribotov [Tekst]. Izvestiya NAN Armenii. Fizika. - 2008. -T. 43. - № 5. - S. 348-354.
5. Zi, S. Fizika poluprovodnikovykh priborov [Tekst] / S. Zi. - M. : «Mir», 1984. - 456 s.
