Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 6428 10.12737/12015 Технические науки Технические науки THE APPLICATION OF SOME STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL SOLUTIONS IN DEVELOPMENT OF SCHOTTKY DIODES WITH IMPROVED FUNCTIONAL CHARACTERISTICS Применение некоторых конструктивно-технологических решений в разработке диодов Шоттки с улучшенными функциональными характеристиками Машков П. Л. Mashkov P. Л. Кастрюлев А. Н. Kastryulev A. Н. Харченко Максим Эдуардович Kharchenko M. Eduardovich АО "ВЗПП-С" Россия АО "ВЗПП-С" Russian Federation 02 07 2015 02 07 2015 8 1 18 21 https://naukaru.ru/en/nauka/article/6428/view

— В работе представлены некоторые конструктивно-технологические решения, позволившие улучшить рабочие характеристики диодов Шоттки, а также принципиально повысить их устойчивость к ионизирующему излучению. Для проверки сделанных расчетов были изготовлены макетные образцы диодов с барьером Шоттки (максимально допустимая плотность среднего прямого тока – 100 А/см2, максимально допустимое обратное напряжение – 150 В). В ходе исследований определена оптимальная конструкция рабочей части диода Шоттки, усовершенствована конструкция периферийной области, оптимизирована технология создания контакта металл-полупроводник. В ходе проведенных испытаний полученных макетных образцов диодов было установлено, что функциональные характеристики, а также стойкость к ионизирующему излучению, оказались на уровне или лучше заявленных требований.

The paper presents some of the design and technological solutions that helped to improve the performance of the Schottky diodes, as well as radically improve their resistance to ionizing radiation. To check the calculations made by the model samples were prepared with a Schottky barrier diode (maximum permissible density of the average forward current - 100 A / cm2, the maximum reverse voltage - 150 V). The studies determined the optimal design of the working part of a Schottky diode, advanced design of the peripheral field-optimized technology for creating the metal-semiconductor interface. During tests carried diodes obtained prototypes it was found that the functional characteristics, as well as resistance to ionizing radiation, were at or better stated requirements

 Диод Шоттки радиационное излучение конструктивно-технологические решения Schottky diodes radiation emissions design and technological solutions

I. ВведениеОсвоение космического пространства и ядерные исследования предъявляют особые требования к защите электронной аппаратуры от ядерного и ионизирующего излучения, что в свою очередь создает необходимость в разработке полупроводниковой компонентной базы (диоды, транзисторы, интегральные микросхемы и др.) стойкой к воздействию специальных факторов. Одним из важнейших направлений в этой области является разработка и освоение в производстве диодов с барьером Шоттки. Это обусловлено растущим спросом на данный тип изделий со стороны потребителей, которые предъявляют к ним особые требования по стойкости к специальным факторам. 

Улимов, В. Н. Базовые механизмы формирования радиационных эффектов в п/п, ИС и РЭА [Текст] / В. Н. Улимов. - Доклад на конференции 2010г. (г. Пицунда) Ulimov, V. N. Bazovye mekhanizmy formirovaniya radiatsionnykh effektov v p/p, IS i REA [Tekst] / V. N. Ulimov. - Doklad na konferentsii 2010g. (g. Pitsunda) Козлов, В. А. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами [Текст] / В. А. Козлов, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Том 35, вып. 7. - С. 769-795. Kozlov, V. A. Legirovanie poluprovodnikov radiatsionnymi defektami pri obluchenii protonami i α-chastitsami [Tekst] / V. A. Kozlov, V. V. Kozlovskiy. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2001. - Tom 35, vyp. 7. - S. 769-795. Рахматов, А. З Влияние проникающей радиации на параметры крениевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода [Текст] / А. З. Рахматов, М. Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. - 2001. - № 4. - С. 26-33. Rakhmatov, A. Z Vliyanie pronikayushchey radiatsii na parametry krenievogo planarnogo vysokochastotnogo vysokovol´tnogo vypryamitel´nogo dioda [Tekst] / A. Z. Rakhmatov, M. Yu. Tashmetov, L.S. Sandler. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. - 2001. - № 4. - S. 26-33. Саакян, В. А. Действие различных видов облучния на параметры кремниевых полупроводниковых приботов [Текст] // Известия НАН Армении. Физика. - 2008. -Т. 43. - № 5. - С. 348-354. Saakyan, V. A. Deystvie razlichnykh vidov obluchniya na parametry kremnievykh poluprovodnikovykh pribotov [Tekst]. Izvestiya NAN Armenii. Fizika. - 2008. -T. 43. - № 5. - S. 348-354. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов [Текст] / С. Зи. - М. : «Мир», 1984. - 456 с. Zi, S. Fizika poluprovodnikovykh priborov [Tekst] / S. Zi. - M. : «Mir», 1984. - 456 s.