В последнее время, несмотря на большой накоп-ленный опыт в разработке микросхем для космиче-ского применения, задача обеспечения стойкости является не менее актуальной. Это связано с общим развитием уровня технического прогресса, внедрением новых и совершенствованием существующих технологических процессов, что привело к резкому уменьшению проектных норм и увеличению степени интеграции. Учитывая малые размеры активных областей в данных изделиях, там стали в большей степени проявляться так называемые одиночные события. Это радиационные эффекты, причиной возникновения которых является взаимодействие отдельной (одной) ядерной частицы с активной областью прибора. Данные эффекты относятся к новому классу микродозиметрических радиационных эффектов в электронных приборах и носят вероятностный характер [1].
В настоящее время многими предприятиями ведутся работы по созданию радиационно-стойких сбоеустойчивых микросхем. Специалисты ОАО «НИИЭТ» провели ряд исследований направленных на создание
