ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ INGAN/GAN В MQWS НА (11-22) САПФИР
Авторы:
Тип:
Статья
Страницы:
с 17
по 20
Статус:
Опубликован
Получено:
17.11.2015
Одобрено:
10.12.2015
Опубликовано:
10.12.2015
Язык материала:
русский
Ключевые слова:
полупроводник, гетероструктура, ориентация, сапфир, выброс энергии
Аннотация:
Полупроводниковых нитридов III гетероструктур важны для светового излучения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах [1]. Типичный нитридов III на основе светоизлучающих структурах с ingan/gan и квантовых ямах, квантовых ямах, выращенных вдоль сильно поляризовано 0001 направлении [2]. Связанные с квантово-ограниченных эффекта Штарка QCSE уменьшает перекрытие между электроном и дыркой волновых функций и приводит к уменьшению внутренней квантовой эффективности IQE [3]. В QCSE сильно зависит от кристаллографической ориентации. В неполярных и semipolar Кя, QCSE может быть полностью или частично исключены которые могут повысить эффективность светоизлучающих устройств. Экспериментальное наблюдение за отсутствие QCSE в неполярных транзисторов algan/gan и (10-10) и (11-20) Кя сообщалось [4, 5] снижение QCSE наблюдается также и в (11-22) и (101-3) semipolar обломока ingan/gan и квантовых ямах [6, 7]. Однако, планар неполярных и semipolar в III-нитридных пленок, выращенных на R - и M-плоскости сапфира методом Мос-гидридной эпитаксии (газофазной эпитаксии Металлоорганических).
Полупроводниковых нитридов III гетероструктур важны для светового излучения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах [1]. Типичный нитридов III на основе светоизлучающих структурах с ingan/gan и квантовых ямах, квантовых ямах, выращенных вдоль сильно поляризовано 0001 направлении [2]. Связанные с квантово-ограниченных эффекта Штарка QCSE уменьшает перекрытие между электроном и дыркой волновых функций и приводит к уменьшению внутренней квантовой эффективности IQE [3]. В QCSE сильно зависит от кристаллографической ориентации. В неполярных и semipolar Кя, QCSE может быть полностью или частично исключены которые могут повысить эффективность светоизлучающих устройств. Экспериментальное наблюдение за отсутствие QCSE в неполярных транзисторов algan/gan и (10-10) и (11-20) Кя сообщалось [4, 5] снижение QCSE наблюдается также и в (11-22) и (101-3) semipolar обломока ingan/gan и квантовых ямах [6, 7]. Однако, планар неполярных и semipolar в III-нитридных пленок, выращенных на R - и M-плоскости сапфира методом Мос-гидридной эпитаксии (газофазной эпитаксии Металлоорганических).
Ключевые слова:
полупроводник, гетероструктура, ориентация, сапфир, выброс энергии
полупроводник, гетероструктура, ориентация, сапфир, выброс энергии
In order to demonstrate good quality of the overgrown semi-polar GaN films on nano-rod templates, an InGaN/GaN MQW structure has been grown after the overgrowth to investigate optical performance of the semi-polar MQWs. Figure 1 is a schematic figure. The InGaN/GaN MQW structure is composed of 10 period InGaN well and GaN barrier thickness with 2.5 nm and 8.5 nm, respectively. Meanwhile, identical InGaN/GaN MQW structures are grown under the c-plane InGaN/GaN MQW growth conditions on an as-grown semi-polar GaN and a standard c-plane GaN template in order to make comparisons. Note that the growth conditions for InGaN/GaN QWs are not optimized.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
