ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА ДЕГРАДАЦИЮ СОЕДИНЕНИЙ В СИСТЕМЕ Al – Au
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассмотрены типичные причины деградации микросварных биметаллических соединений бинарной системы алюминий – золото. Данные типы соединений часто применяются в производстве полупроводниковых изделий (ППИ) и интегральных микросхем (ИМ). Деградация соединений, проявляющаяся при отбраковочных испытаниях или в процессе эксплуатации изделий, приводит к появлению отказов, что резко снижает надежность радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). В основе большинства деградационных процессов лежат явления диффузии, которые преимущественно определяются температурой, химическим составом и микроструктурой металлов и сплавов. Примесные элементы, входящие в состав золотого покрытия, оказывают существенное влияние на деградацию проволочных соединений «контактные площадки кристалла – траверсы выводов корпуса» ППИ. В этой связи представляется интересным проанализировать влияние различных примесей на процессы диффузии и изменение микроструктуры покрытия для выявления наиболее опасных химических элементов и определения их роли в механизмах деградации соединений. В статье представлен обзорный анализ литературных данных по теме исследования. В заключении обобщены результаты работ в области анализа влияния примесных элементов на деградацию соединений в системе Al – Au, сделаны выводы о решающей роли зернограничной диффузии на механизмы деградации микросварных биметаллических соединений.

Ключевые слова:
золотое покрытие, примесь, алюминиевая проволока, эффект Киркендалла, деградация, отказ, надежность
Список литературы

1. Горлов, М.И. Геронтология кремниевых интегральных микросхем / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, А.В. Строгонов, Отв. ред. Б.И. Казуров. М.: Наука, 2004. 240 с.

2. Сборка 3D-изделий с использованием проволочных выводов / В.В. Зенин, А.А. Стоянов, С.В. Петров, С.Ю. Чистяков // Микроэлектроника. 2014. Т. 43, № 1. С. 29-42.

3. Ефимов, И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. М.: Высш. шк., 1986. 464 с.

4. Чернышев, А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.А. Чернышев. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.

5. Ahmad, S.S. Au/Al Wire Bond Interface Resistance Degradation Rate Simulations / Syed Sajid Ahmad, Scott C. Smith // IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2019. Vol. 19, №. 4, December. pp. 774-781.

6. Физическое металловедение: В 3-х т. / Под ред. Кана Р.У., Хаазена П. / Т. 2: Фазовые превращения в металлах и сплавах и сплавы с особыми физическими свойствами: Пер. с англ. М.: Металлургия, 1987. 624 с.

7. Хмыль, А.А. Гальванические покрытия в изделиях электроники / А.А. Хмыль, В.Л. Ланин, В.А. Емельянов. Минск: Интегралполиграф, 2017. -453 с.

8. Горлов, М.И. Физические основы надежности интегральных схем / М.И. Горлов, Н.С. Данилин. М.: МАКС Пресс, 2008. 404 с.

9. Исследование прочности и долговечности проволочных микросварных соединений алюминий-золото при изготовлении микромеханических датчиков / А.В. Старцева, А.С. Ковалев, В.Ю. Бобов, Д.Р. Гаглоев // Материалы XVI конференции молодых ученых «Навигация и управление движением», 2014. С. 395-400.

10. Зернограничная диффузия и свойства наноструктурных материалов / Ю.Р. Колобов, Р.З. Валиев, Г.П. Грабовецкая и др. Новосибирск: Наука, 2001. 232 с.

11. Horsting, C., Purple Plague and Gold Purity / C. Horsting; 10th Annual Proc. IRPS, Las Vegas, Nevada, April 5-7, 1972. pp. 155-158.

12. Harman, George G. Wire Bonding in Microelectronics / George G. Harman; Third Edition. McGraw Hill Professional, 2010. 426 p.

13. Зенин, В.В. Конструктивно-технологические аспекты сборки полупроводниковых изделий: Учеб. пособие. / В.В. Зенин, А.В. Рягузов. Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун-т. 2005. 353 с.

14. Гальванические покрытия в машиностроении. Справочник. В 2-х томах / Под ред. М. Л. Шлутера. - М.: Машиностроение, 1985. Т. 1. 1985. 240 с.

15. Гамбург, Ю.Д. Гальванические покрытия. Справочник по применению / Ю.Д. Гамбург. М.: Техносфера, 2006. 216 с.

16. Materials for Advanced Packaging / Editors: Daniel Lu, C.P. Wong. Springer, 2017. 969 p.

17. Evans, K.L. Investigation of the Effect of Thallium on Gold/Aluminum Wire Bond Reliability / K.L. Evans, T.T. Guthrie and R.G. Hays // Proc. ISTFA, Los Angeles, California, 1984. pp. 1 10.

18. Okumara, K. Degradation of Bonding Strength (Al Wire-Au Film) by Kirkandall Voids / K. Okumara // Electrochem. Soc. 1981. Vol. 128. pp. 571-575.

19. James, H. K. Resolution of the Gold Wire Grain Growth Failure Mechanism in Plastic Encapsulated Microelectronic Devices / H. K. James / IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. CHMT-3, № 3, September, 1980. pp. 370-374.

20. Advanced Wirebond Interconnection Technology / K. Prasad Shankara. New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow: Kluwer Academic Publishers, 2004. 668 p.

21. Thermal Stress and Strain in Microelectronics Packaging / Edited by John H. Lau. New York: Van Nostrand Reinhold, 2012. 884 p.

22. Коренман, И.М. Аналитическая химия таллия / И.М. Коренман. - М.: Изд-во Академии наук СССР, 1960. 172 с.

23. Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В 3 т.: Т. 1 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1996. 992 с.

24. Endicott, D.W. Effects of Gold-Plating Additives on Semiconductor Wire Bonding / D.W. Endicott, H.K. James and F. Nobel // Plating and Surface Finishing. 1981. Vol. 68, №11. pp. 58-61.

25. United States Patent US3833487A C25D3/48 Electrolytic soft gold plating : 1972-12-22 Application filed by Bell Telephone Laboratories Inc; 1972-12-22 Priority to US00317600A; 1974-09-03 Application granted; 1974-09-03 Publication of US3833487A; 1991-09-03 Anticipated expiration; Status Expired - Lifetime.

26. United States Patent US3423295A C25D3/48 Gold plating : 1966-02-23 Application filed by Engelhard Industries Inc; 1969-01-21 Application granted; 1969-01-21Publication of US3423295A; 1981-12-14 Assigned to Engelhard Corporation; 1986-01-21 Anticipated expiration; Status Expired - Lifetime.

27. Dimitrijević, S. Non-Cyanide Electrolytes for Gold Plating - A Review / Silvana Dimitrijević, M. Rajčić-Vujasinović, V. Trujić // International Journal of Electrochemical Science. 2013. № 8. pp. 6620-6646.

28. Modern Electroplating / Edited by Mordechay Schlesinger and Milan Paunovic. Published by John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2010. 729 p.

29. Вячеславов, П.М. Гальванотехника благородных и редких металлов / П.М. Вячеславов, С.Я. Грилехес, Г.К. Буркат, Е.Г. Круглова. М.: Машиностроение, 1970. 248 с.

30. Murcko, R.M. Resistance Drift in Aluminum to Gold Ultrasonic Wire Bonds /Robert M. Murcko, Robin A. Susko, and John M. Lauffer // IEEE Transactions on components, hybrids, and manufacturing technology. 1991. Vol. 14, №. 4. pp. 843-847.

31. Electroless Ni/Pd/Au plating for semiconductor package substrates - effect of gold plating combinations on gold wire bonding reliability / Yoshinori Ejiri, Takehisa Sakurai, Yoshinori Arayama, Yoshiaki Tsubomatsu, Shuuichi Hatakeyama // Electronics Packaging Society Journal. 2014. Vol. 17, № 4. pp. 297-306.

32. Микросварные соединения золотой проволоки с Cu-Ni металлизацией кристаллов полупроводниковых изделий / А.И. Землянский, А.Е. Бормонтов, С.В. Родивилов, Д.И. Бокарев, В.В. Зенин // Вестник ВГУ. Серия: Физика. Математика. - 2018. - № 3. - С. 22 - 30.

33. Influences of Electroless Nickel Film Conditions on Electroless Au/Pd/Ni Wire Bondability / Ikuhiro Kato, Tomohito Kato, Hajime Terashima, Hideto Watanabe, and Hideo Honma // Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging. 2010. Vol. 3, № 1. pp. 78-85.

34. Grain boundary diffusivity of Ni in Au thin films and the associated degradation in electrical contact resistance due to surface oxide film formation / N. Argibay, M.T. Brumbach, М.Т. Dugger and Р.G. Kotula // Journal of Applied Physics. 2013. Vol. 113. № 114906.

35. Future and Technical Considerations of Gold Wirebonding in Semiconductor Packaging - A Technical Review / Chong Leong Gan, Francis Classe, Bak Lee Chan, Uda Hashim // Microelectronics International. 2014. Vol. 31/2. pp. 121-128.

36. Comparison and Mechanism of Electromigration Reliability Between Cu Wire and Au Wire Bonding in Molding State / Yahong Du, Li-Yin Gao, Daquan Yu, Zhi-Quan Liu // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. - Published online: 06 Januarx 2020. https://doi.org/10.1007/s10854-019-02840-6

37. Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Edited by Geraldine C. Schwartz & Kris V. Srikrishnan. - Boca Raton; London; New York: Taylor & Francis Group, 2006. 520 p.

38. Dini, J.W. Influence of Codeposited Impurities on Thermocompression Bonding of Electroplated Gold / J.W. Dini and H.R. Johnson // Proc. ISHM Symposium, Los Angeles, CA, October. 1979. pp. 89-95.

39. Panousis, N.T. Bonding Degradation in the Tantalum Nitride-Chromium-Gold Metallization System / N.T. Panousis and H.R. Bonham // IEEE 11 th Annual Proceedings Reliability Physics. 1973. p. 21.

40. Corcoran Y.L. Grain Boundary Diffusion Layers on Silicon and Growth of Titanium Silicide / Yunji L. Corcoran, Alexander H. King // Journal of Electronic Materials. 1990. Vol. 19, № 11. pp. 89-95.

41. Thompson, R.J. Bondability Problems Associated with the Ti-Pt-Au Metallization of Hybrid Microwave Thin Film Circuits / Robert J. Thompson, Donald R. Cropper, and Bradley W. Whitaker // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. - 1981. - Vol. CHMT-4, № 4. - pp. 439 - 445.

42. Сидняев, Н. И. Обзор исследований физики отказов для оценки показателей надежности радиоэлектронных приборов современных РЛС / Н.И. Сидняев // Физические основы приборостроения. 2017. Т. 6. № 2 (24). С. 4-52.

43. Wakahayashi, S. Effects of Grain Refiners in Gold Deposits on Aluminum Wire-Bond Reliability / S. Wakahayashi, A. Murata, and N. Wakobauashi // Plating and Surface Finishing. 1982. № 8. pp. 63-68.

Войти или Создать
* Забыли пароль?