Россия
Россия
Россия
В статье приводится математический анализ аномальных спектров фотопроводимости высокоомного фосфида индия с примесью меди в области фундаментальных переходов. Аномальное появление дополнительных экстремумов объясняется расслоением рекомбинационного параметра по глубине образца.
фотопроводимость, аппроксимация, рекомбинация, фосфид индия
Одной из важнейших и перспективных областей науки является квантовая оптика. Актуальной задачей является исследование электрооптических свойств новых высокочувствительных фотоматериалов. Примером может служить исследование спектров фотопроводимости (ФП) высокоомных полупроводниковых соединений АIIIВV (GaAs, InAs, GaP, InP и др.) с примесями, создающими глубокие уровни в зоне запрещённых энергий. Эти центры способны увеличить время жизни носителей заряда до нескольких секунд. Что позволяет увеличить вклад фотоэлектронов (дырок) в проводимость материала.
В данной работе предлагается математический анализ спектров фотопроводимости полупроводниковых соединений АIIIВV с глубокими примесями на примере InP:Cu.
1. Прибылов, Н. Н. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью [Текст] / Н. Н. Прибылов, В. А. Буслов, С. И. Рембеза, А. И. Спирин, С. А. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33. - № 8. - С. 916-920.
2. Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, В. А. Мельник // Физика и техника полупроводников. - 2008. - T. 42. - № 5. - С.542-545.
3. Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, легированном железом [Текст] / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, В. А. Мельник // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2007. - T. 3. - № 11. - С. 137-138
4. Лашкарев, В. И. Неравновесные процессы в фотопроводниках [Текст] / В. И. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман. - Киев : «Наукова думка», 1981. - 264с.
5. Кустов, В. Г. Спектральная фоточувствительность неоднородных полупроводников [Текст] / В. Г. Кустов, В. П. Орлов, В. А. Преснов, Б. С. Азиков // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т. 4. - № 4. - С. 669-672.
6. Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Cu и Fe [Текст] : дис.... канд. ф.-м. наук: 01.04.07 / Ф. В. Макаренко. - Воронеж, 2008. - 159 с.
7. Суэмацу, Я. Основы оптоэлектроники [Текст] / Я. Суэмацу, С. Катаока, К. Кисино, Я. Кокубун, Т. Судзуки, О. Исии, С. Ёнэдзава. - М. : Мир, 1988.- 288 с.
