Россия
Россия
УДК 621.3 Электротехника
Важными факторами, оказывающими влияние на процесс проектирования микросхем, выполненных по субмикронной технологии, являются шум и целостность сигнала. В настоящее время имеется некоторое различие в том, что могут спроектировать инженеры-разработчики и тем, что может быть изготовлено с надлежащим уровнем качества и надежности. Поэтому требуется создание принципиально новой методологии верификации проектов СБИС с глубоко-субмикронными проектными нормами. Для того, чтобы рассчитать процент изготовленных годных микросхем, требуется выявить уязвимые эффекты и явления с точки зрения субмикронной технологии. В работе исследовано влияние шумов на различные типы микросхем и даны рекомендации для ограничения шумов. Одним из вариантов достижения оптимального баланса между помехо-, шумоустойчивостью и параметрами микросхемы является добавление запасов при расчете параметров СБИС. В работе показано, что проекты СБИС с нанометровыми топологическими нормами должны проходить дополнительный процесс верификации параметров и функционирования в целом перед выдачей информации на изготовление фотошаблонов. Проведение верификации требует использования интегрированного набора программных средств, которые сертифицированы в условиях реального производства.
СБИС, глубоко-субмикронные технологии, проектирование, радиоэлектронные изделия, космические аппараты
1. Уткин, Д.М. Проектирование функциональных блоков, функционирующих в условиях радиационного воздействия / Д.М. Уткин, В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 1. - С. 26-29.
2. A review paper on memory fault models and test algorithms / A.Z. Jidin, R. Hussin, L.W. Fook, M.S. Mispan // Bulletin of Electrical Engineering and Informatics. - 2021. -Vol. 10(6).- Pp. 3083-3093. - DOI:https://doi.org/10.11591/eei.v10i6.3048.
3. Зольников, В.К. Модель оценки параметров надежности технических систем при воздействии радиации и её интеграция в общий маршрут проектирования / В.К. Зольников, Д.М. Уткин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 1. - С. 30-34.
4. Prasad, C.R. Design of low power CMOS array and tree multiplier using DSM technology / C.R. Prasad, B. Rajeshwari, D. Laksmaiah // International Journal of Recent Technology and Engineering. - 2019. - Vol. 8(2), S.I. 11. - Pp. 1096-1099. - DOI:https://doi.org/10.35940/ijrte.B1188.0982S1119.
5. Программный комплекс для проведения компьютерного тестирования моделей в отдельных предметных областях / В.В. Теняев, М.И. Купцов, А.С. Соловьев, В.И. Сумин // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2017. - № 2. - С. 111-116.
6. Одиночные радиационные эффекты в диодах Шоттки при воздействии тяжелых заряженных частиц / А.С. Ватуев, В.В. Емельянов, В.К. Зольников [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2018. - № 1. - С. 17-23.
7. Методы проектирования сбоеустойчивых 8-разрядных микроконтроллеров к воздействию ТЗЧ / А.И. Яньков, В.А. Смерек, В.П. Крюков [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 4. - С. 73-79.
8. Krishna, R. Low leakage 10T SRAM cell with improved data stability in deep sub-micron technologies / R. Krishna, P. Duraiswamy // Analog Integrated Circuits and Signal Processing. - 2021. - Vol. 109(1). - Pp. 153-163. - DOI:https://doi.org/10.1007/s10470-021-01870-7.
9. Анализ временных показателей жизненного цикла информационно-технических устройств в подходе теории случайных процессов / В.К. Джоган, А.С. Дубровин, В.П. Ирхин, Е.О. Окунева // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2016. - № 4. - С. 54-58.
10. Анализ потерь в цифровых информационных потоках инфокоммуникационных систем / В.И. Зигунов, В.О. Морозов, С.Н. Панычев, В.И. Сумин // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2017. - № 1. - С. 59-65.
11. Challenges on DTCO Methodology Towards Deep Submicron Interconnect Technology / H. Park, K. Chang, J. Jeong [et al.] // Proceedings - International SoC Design Conference 2021, ISOCC 2021. - 2021. - Pp. 215-218. - DOI:https://doi.org/10.1109/ISOCC53507.2021.9614026.
12. Synergistic Topology Generation and Route Synthesis for On-Chip Performance-Critical Signal Groups / D. Liu, B. Yu, V. Livramento [et al.] // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. - 2019. -Vol. 38(6). - C. 8356058. - Pp. 1147-116. - DOI:https://doi.org/10.1109/TCAD.2018.2834424.
13. Зольников, В.К. Проектирование микросхем с учетом радиационного воздействия / В.К. Зольников, В.П. Крюков, А.И. Яньков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2009. - № 2. - С. 28-30.
14. Maddela, V. Study on Paradigm of Variable Length SRAM Embedded Memory Testing / V. Maddela, S.K. Sinha, P. Muddapu // Proceedings of the 5th International Conference on Electronics, Communication and Aerospace Technology, ICECA 2021. - 2021. -Pp. 127-131. - DOI:https://doi.org/10.1109/ICECA52323.2021.9675983.
15. Chatterjee, S. Characteristics study of high-K gate stack for MOS-FETs using TCAD simulation / S. Chatterjee, A. Chattopadhyay, G.S. Taki // 2018 2nd International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology, IEMENTech 2018. - C. 8465200. - DOI:https://doi.org/10.1109/IEMENTECH.2018.8465200.
16. Зольников, В.К. Методика проектирования современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 3. - С. 5-8.
17. Информационная модель случайной антенны / В.О. Морозов, С.Н. Панычев, Л.В. Россихина, В.И. Сумин // Вестник Воронежского института ФСИН России. -2016. - № 4. - С. 80-84.
18. Directly addressable GaN-based nano-LED arrays: fabrication and electro-optical characterization / D.D. Bezshlyakh, H. Spende, T. Weimann [et al.] // Microsystems and Nanoengineering. - 2020. - Vol. 6(1). - C. 88. - DOI:https://doi.org/10.1038/s41378-020-00198-y.
19. Асимптотический анализ и исследование экономической целесообразности математической модели ответственного узла радиотехнического устройства при наличии резервных блоков в случае опасности короткого замыкания / Ю.В. Корыпаева, Н.Е. Красова, Л.Д. Кузнецова, В.И. Сумин // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2020. - № 4. - С. 52-58.
20. Яньков, А.И. Сравнительный анализ процессов возникновения ионизационного тока в транзисторных ключах КМОП и КМОП КНИ-технологиях / А.И. Яньков, В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2010. - № 3. - С. 40-41.
21. Сумин, В.И. Анализ возможностей проектирования реляционной базы данных в процессе приведения к шестой нормальной форме / В.И. Сумин, Т.Е. Смоленцева, Я.А. Акатьев // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2021. - № 1. - С. 109-114.
22. Использование генетического алгоритма для оптимизации топологии информационно-телекоммуникационной сети / В.И. Сумин, Е.Г. Царькова, И.А. Шаповалова, Д.А. Новиков // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2017. - № 4. - С. 163-167.
23. Сумин, В.И. Анализ методов управления нагрузкой серверов в распределенных информационных системах большой размерности / В.И. Сумин, Е.Д. Грачев, М.А. Лукин // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2021. - № 3. - С. 116-124.
24. Kumar, N.P. Implementation of cache memory and fir filter using FINFETs at 22 nm technology for SOC designs / N.P. Kumar, B.S. Charles, V. Sumalatha // Microprocessors and Microsystems. - 2020. -Vol. 77. - C. 103191. - DOI:https://doi.org/10.1016/j.micpro.2020.103191.
25. Howlader, M.A.-A. Power Dissipation Analysis of Graphene Nanoribbon (GNR) Interconnects for Electronics in Nano Scale / M.A.-A. Howlader, M.A.G. Khan // International Conference on Computer, Communication, Chemical, Material and Electronic Engineering, IC4ME2 2018. - 2018. - С. 8465484. - DOI:https://doi.org/10.1109/IC4ME2.2018.8465484.
26. Сумин, В.И. Синтез математической модели оценки высоконадежной обработки информации в учреждении УИС / В.И. Сумин, А.Г. Фадеев // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2018. - № 2. - С. 104-110.
27. Львович, Я.Е. Оптимизация последовательной редукции вариантов качественного функционирования сетевых объектов на основе интеграции численных процедур и экспертного оценивания / Я.Е. Львович, В.И. Сумин, А.Н. Швиндт // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2018. - № 4. - С. 82-88.
28. Анализ процессов обработки информации при использовании методов модулярной арифметики / А.С. Дубровин, В.П. Ирхин, Р.В. Кузьменко, В.А. Мельник // Вестник Воронежского института ФСИН России. - 2016. - № 4. - С. 59-66.
29. Advanced On-Chip Variation in Static Timing Analysis for Deep Submicron Regime / D.M.T. Nguyen, T. Van Quang, A.H. Nguyen, M.S. Nguyen // Proceedings - 2020 International Conference on Advanced Computing and Applications, ACOMP 2020. - 2020. - C. 9353065. - Pp. 130-134. - DOI:https://doi.org/10.1109/ACOMP50827.2020.00026.
30. Rathod, A. Accelerating Parameter Extraction of PSP MOSFET Model on SoC Platform / A. Rathod, R. Thakker, A.A. Prince // Journal of Circuits, Systems and Computers. - 2021. - Vol. 30(13). - C. A325. - DOI:https://doi.org/10.1142/S0218126621502479.
