МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ И ЭФФЕКТОВ СМЕЩЕНИЯ В ЦИФРОВЫХ МИКРОСХЕМАХ ДЛЯ САПР
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассмотрены методы проектирования сбоеустойчивых цифровых биполярных интегральных микросхем с воздействием на них таких радиаций как гамма-рентгеновского и нейтронного излучения, а так же воздействие нейтронного импульса, которые влияют, в значительной степени, на коэффициенты усиления транзисторов. Представлен режим работы интегральных микросхем с изменением начальных значений напряжений, а так же токов эммитера и базы. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-рентгеновского и нейтронного излучения.

Ключевые слова:
САПР, микросхемы, излучение, радиация, информационные технологии, математические модели, микросхемы, электронная компонентная база, радиационная стойкость, радиационно-стойкие микросхемы.
Текст

Рассмотрены методы проектирования сбоеустойчивых цифровых биполярных интегральных микросхем с воздействием на них таких радиаций как гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения, а так же воздействие нейтронного импульса, которые влияют, в значительной степени, на коэффициенты усиления транзисторов. Представлен режим работы интегральных микросхем с изменением начальных значений напряжений, а так же токов эммитера и базы. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения.

 

Список литературы

1. Зольников, В. К. Проектирование сбоеустойчивых микросхем [Текст] / В. К. Зольников, А. И. Яньков, В. А. Смерек, А. В. Ачкасов, Н. А. Орликовский, Д. М. Уткин // Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика. - 2013. - № 5 (5). - С. 217-222.

2. Уткин, Д. М. Проблемно-ориентированное программное обеспечение для расчета показателей надежности сложных блоков программно-технических комплексов и его интеграция в сапр сквозного проектирования [Текст] / Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 48-51.

3. Лавлинский, В. В. Синтез виртуальной реальности при проектировании информационных объектов в условиях нечеткого представления контролируемых параметров [Текст] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова, Ю. С. Сербулов // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 3. - С. 37-44.

4. Чевычелов, Ю. А. Методы определения стойкости кмоп-компонентов при проектировании микросхем [Текст] / Ю. А. Чевычелов // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 3. - С. 68-71.

5. Лавлинский, В. В. Исследование подходов для создания информационной составляющей при проектировании интеллектуального тренажера на основе сигналов коры головного мозга [Текст] / В. В. Лавлинский, Д. В. Бибиков, Р. Б. Буров, Ю. Г. Табаков // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 52-56.

6. Бибиков, Д. В. Метод проектирования схем для считывания НЧ-сигналов с коры головного мозга [Текст] / Д. В. Бибиков, Р. Б. Буров, В. В. Лавлинский, Ю. Г. Табаков // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 11-14.

7. Анциферова, В. И. Стратегия образования в области радиоэлектроники в современных условиях [Текст] / В. И. Анциферова, О. В. Коровина, В. К. Зольников / Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика. - 2014. - № 4-2 (9-2). - С. 378-381.

8. Скляр, В. А. Проблема целостности сигнала: характеризация и моделирование процессов в САПР [Текст] / В. А. Скляр, В. К. Зольников, А. И. Яньков, Ю. А. Чевычелов, В. Ф. Барабанов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 67-72.


Войти или Создать
* Забыли пароль?