Россия
Россия
Россия
В процессе полета на космические системы (орбитальные станции, космические аппараты, межпланетные космические корабли и др.) действуют заряженные частицы (ЗЧ) космического пространства (КП), которые, без применения специальных мер защиты, способны приводить к отказу бортовых систем. Особую опасность они представляют для систем, в составе которых использованы комплектующие изделия электронной техники (ИЭТ) (полупроводниковые приборы (ППП) и интегральные схемы (ИС), оптоэлектронные приборы). К этим системам в КА, как правило, относятся все системы управления, телеметрические системы, приемо-передающие устройства, системы терморегулирования, системы энергопитания и т.п., которые в целом можно называть радиоэлектронной аппаратурой (РЭА).
МДП-транзисторы, ПЗС-матрицы, ионизационное излучение, радиационные эффекты, радиационная стойкость, одиночные эффекты.
1. Исследование характеристик пучков ионов на испытательных стендах по контролю стойкости ЭКБ к воздействию ТЗЧ и их вариации при различных плотностях потоков и энергиях / А.С. Бычков, В.С. Анашин, А.Е. Козюков, С.А. Яковлев // Петербургский журнал электроники. - 2017. - № 2-3 (87-88). - С. 132-136.
2. Зольников, В.К. Методика проектирования современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2012. - № 3. - С. 5-8.
3. Destructive failure heavy ion testing of different amplifiers / A.A. Kalashnikova, V.S. Anashin, S.A. Iakovlev [et al.] // 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2017. - Space to Ground and Below. 2019. - P. 8696112. - DOI:https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696112.
4. The difficulties and solutions in see radiation experiments, test samples and setup preparation / A.E. Koziukov, V.S. Anashin, S.A. Yakovlev [et al.] // 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2017. - Space to Ground and Below. 2019. - P. 8696208. - DOI:https://doi.org/10.1109/RADECS.2017.8696208.
5. Проектирование интерфейсов сбоеустойчивых микросхем / В.К. Зольников, Н.В. Мозговой, С.В. Гречаный [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 17-24. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2020-13-1-17-24.
6. Определение мероприятий по программе обеспечения качества работ проектирования и серийного производства микросхем и оценки их эффективности на примере СБИС 1867ВН016 / К.В. Зольников, А.С. Ягодкин, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 46-53. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2020-13-1-46-53.
7. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867Ц6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 77-82. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2020-13-1-77-82.
8. Макаренко, Ф.В. Сужение спектра излучения GaAs светодиода за счет применения светофильтра InP (Ag) / Ф.В. Макаренко, А.В. Арсентьев, К.В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 4. - С. 32-38. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2021-13-4-32-38.
9. Особенности технологического процесса изготовления микросхем космического назначения по технологии КМОП КНС / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, И.В. Журавлева [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 3. - С. 53-58. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2020-13-3-53-58.
10. Основные факторы ионизирующих излучений космического пространства, действующие на микросхемы / И.В. Журавлева // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 3. - С. 11-16. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2019-12-3-11-16.
11. Создание базиса для микросхем сбора и обработки данных / В.А. Скляр, А.В. Ачкасов, К.В. Зольников [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 2. - С.66-71. - DOI:https://doi.org/10.12737/article_5b57795062f199.54387613.
12. Characterization of widely used bipolar transistors in wide temperature range before and after ionizing radiation impact / A.S. Bakerenkov, A.S. Rodin, V.A. Felitsyn [et al.] // IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, NSREC 2018. - 2018. - P. 8584306. - DOI:https://doi.org/10.1109/NSREC.2018.8584306.
