УПРАВЛЕНИЕ ИСПЫТАНИЯМИ ЭКБ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ УСЛОВИЙ ИХ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В работе рассмотрены требования к испытательным стендам для исследования появления одиночных радиационных эффектов в электронной компонентной базы (ЭКБ) при повышенной и пониженной температурах. Представлены примеры влияния температурного режима на уровни стойкости ЭКБ, а также влияние пассивного и активного режима работы радиоэлектронной аппаратуры на появление одиночных событий.

Ключевые слова:
Электронная компонентная база (ЭКБ), испытания, одиночный радиационный эффект, космическое пространство (КП), ионизирующее излучение (ИИ), КМОП-технология.
Список литературы

1. Митин, Е.В. Проблемные вопросы испытаний ЭКБ на стойкость к одиночным радиационным эффектам / Е.В. Митин // Петербургский журнал электроники. - 2014. - № 4 (81). - С. 44-52.

2. Создание средств контроля работоспособности в процессе испытаний / В.К. Зольников, А.Ю. Кулай, И.И. Струков [и др.] // Информационно-сенсорные системы в теплофизических исследованиях : сборник научных трудов. - Тамбов, 2018. - С. 226-228.

3. Отработка методики бесконтактного нагрева кристаллов ЭКБ при испытаниях на стойкость к одиноким радиационным дефектам / Е.В. Митин, Е.Н. Некрасова, В.С. Анашин, А.Е. Козюков // Петербургский журнал электроники. - 2017. - № 2-3 (87-88). - С. 117-122.

4. Kuboyama, S. A Bias Voltage Dependence of Trapped Hole Annealing and Its Measurement Technique / S. Kuboyama, T. Goka, T. Tamura // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-38. - 1991. - Pp. 1140.

5. Challenges and approaches to radiation hardness control of electronic components to in-space high-energy particles exposure / V. Anashin, P. Chubunov, A. Koziukov, A Konyukhov., G. Protopopov // Proceedings - 2018 20th International Symposium on High-Current Electronics, ISHCE 2018. - Tomsk, 2018. - С. 31-34. - DOI:https://doi.org/10.1109/ISHCE.2018.8521206

6. Моделирование работы микросхемы для мехатронного устройства в космической среде / К.В. Зольников, В.П. Крюков, А.Ю. Кулай [и др.] // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем : материалы 1-й научно-практической международной конференции. - Тамбов, 2017. - С. 370-376.

7. Fleetwood, D.M. New insights into radiation-induced oxide-trap charge through thermally-stimulated current (TSC) measurement and analysis / D.M. Fleetwood, S.L. Miller, R.A. Reber [et. al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-39. - 1992. - Pp. 2192.

Войти или Создать
* Забыли пароль?