Россия
АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Воронежская область, Россия
Воронежская область, Россия
Россия
Россия
Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова
Россия
В статье описываются исследования выпрямительных диодов на стойкость к воздействию специальных факторов. В качестве критерия работоспособности диодов рассматривались постоянный обратный ток Iобр и прямое напряжение диода Uобр. По результатам расчетно-экспериментальной оценке стойкости выпрямительных диодов к специальным факторам построены графические зависимости обратного тока и прямого напряжения от значения специального фактора.
Выпрямительный диод, стойкость, радиоэлектроника, тепловой эффект, постоянный обратный ток диода, прямое напряжение диода.
1. Современное состояние разработок элементной базы для систем контроля мониторинга / В. К. Зольников, А. Ю. Кулай, В. П. Крюков, С. А. Евдокимова, Т. В. Скворцова, К. А. Яковлев, О. Н. Черкасов // Цифровизация агропромышленного комплекса : сборник научных статей. - Тамбов : ТГТУ, 2018. - С. 226-228.
2. Ачкасов, А. В. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем / А.В. Ачкасов, A.И. Яньков // Приводная техника. - 2006. - № 5. - С. 28-30.
3. Зольников, К. В. Современное проектирование электронной компонентной базы / К. В. Зольников, В.В. Лавлинский // Экономика. Инновации. Управление качеством. - 2015. - № 1 (10). - С. 40-41.
4. Арзамасцев, М. Ю. Анализ стойкости к ТЗЧ радиационно-стойкого микроконтроллера 1874BE10T, выполненного по отечественной технологии 0.25 мкм / М.Ю. Арзамасцев, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 1. - С. 4-9.
5. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К.В. Зольников, В.А. Скляр, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9.
6. Развитие технологии и платформ проектирования при топологических нормах менее 90 нм / В.А. Скляр, К.В. Зольников, В.В. Лавлинский, К.И. Таперо, А.И. Озеров // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 72-76.
7. Иванов, П. А. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния. Обзор / П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, № 8. -С. 897-913.
8. Беляева, Т. П. Модель оптимального планирования проектов создания изделий микроэлектроники проектов / Т.П. Беляева, А.П. Затворницкий // Программные продукты и системы. - 2011. - № 2. - С. 61-64.
9. Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В.П. Крюков, К.В. Зольников, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 41-44.
10. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2012. - № 1. - С. 634-637.
11. Зольников, К. В. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения / К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 3-4. - С. 20-27.
12. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т. 4, № 4 (16). - С. 280-291.
13. Яньков, А. И. Сравнительный анализ процессов возникновения ионизационного тока в транзисторных ключах КМОП И КМОП КНИ-технологиях / А. И. Яньков, В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2010. - № 3. - С. 40-41.
