Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассмотрены методы обеспечения стойкости микросхем к воздействию тяжелых заряженных частиц за счет избытка аппаратных, информационных и программных ресурсов.

Ключевые слова:
САПР, радиация, микросхемы, тяжелые заряженные частицы
Текст

Одной из первых областей, на которой следует сосредоточиться внимание, прежде всего, является ячейки ОЗУ. Они наиболее критичны к одиночным сбоям, из-за относительно большой пощади и «тяжести отказа» - потери информации. Вначале проводится оценка площади ОЗУ без средств защиты ячеек, затем со «специальными» ячейками - т.е. с применением схемотехнических методов и, наконец, оценивается возрастание площади при резервирования ячеек, которые в общем случае могут быть как обычные, так и «специальные». После этого следует принять решение каким методом следует воспользоваться.

Список литературы

1. Стешенко В. и др. Проектирование СБИС типа "Система на кристалле". Маршрут проектирования. Синтез схемы. // Электронные компоненты. 2009. №1.

2. Яньков, А.И.. Состояние и перспективы разработки радиационно-стойкой элементной базы во ФГУП «НИИЭТ» / А.И.Яньков, В.П.Крюков, Д.Е. Чибисов // Научно-технический журнал «Моделирование систем и процессов». Выпуск 1-2. - ВГЛТА: 2010. -С. 99-102.

3. Зольников, В.К.. Формирование библиотек типовых элементов и СФ блоков / В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2011. № 3. С. 27-29.

4. Зольников, В.К.. Разработка схемотехнического и конструктивно-технологического базиса ЭКБ / В.К.Зольников, А.А. Стоянов // Моделирование систем и процессов. 2011. № 1-2. С. 28-30.

5. Яньков А.И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров K1830BE32УМ и 1830ВЕ32У / А.И.Яньков, В.А. Смерек, В.П.Крюков, В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 92-95.

6. Зольников В.К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 27-30.


Войти или Создать
* Забыли пароль?