Математические модели дозовых эффектов электронной компонентной базы космического назначения
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Рассмотрены современные математические модели дозовых эффектов ионизирующего излучения, описание видов космического излучения, виды отказов работы микросхем. Особенности развития современных средств автоматизации проектирования элементной базы космического назначения с учетом воздействия космического излучения.

Ключевые слова:
САПР, микропроцессоры, эффекты космического воздействия, низко интенсивное ионизирующее излучение, процессы моделирования и проектирования, радиационно-стойкие микросхемы.
Список литературы

1. Ачкасов, В. Н. Средства автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементарной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления / В. Н. Ачкасов, В. М. Антимиров, П. Р. Машевич // Материалы Российской конференции «Стойкость-2005». – Москва, МИФИ. –2005. – С. 251.

2. Зыков, В. М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии : дис. … д-ра техн. наук : 01.04.10 / В. М. Зыков.  Томск, 2002. – 250 с.

3. Скляр, В.А. Моделирование эффектов низкоинтенсивного ионизирующего излучения в СБИС / В. А. Скляр. В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. – 2014. – №2. – С. 58-61.

4. Крюков, В. П. Моделирование изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ / В. П. Крюков // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: труды Международной научно-технической конференции. – М., 2002. – С.93-95.

5. Петров, А. С. Исследование влияния низкоинтенсивного облучения при повышенной температуре на деградацию БиКМОП операционных усилителей / А. С. Петров, К. И. Таперо, В. Н. Улимов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2018. – Вып.1. – С. 31-34.

6. Петров, А. С. Влияние повышенной температуры на деградацию БиКМОП операционных усилителей при низкоинтенсивном облучении / А. С. Петров, К. И. Таперо, В. Н. Улимов // 21-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» - «Стойкость-2018» : тезисы докладов. – Лыткарино,2018. – С. 93-94.

7. РДВ 319.03.37-2000. Изделия электронной техники. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Инженерные методы ускоренных испытаний на стойкость к воздействию низко интенсивных протонного и электронного излучений космического пространства. – М., 2000. – 36 с.

8. РД 134-0196-2011. Аппаратура радиоэлектронная бортовая космических аппаратов. Типовая методика контроля стойкости к ионизирующим излучениям космического пространства в части дозовых эффектов, отбора и отбраковки биполярных электро-радио изделий. – М., 2011. – 40 c.

9. Романенко, А. А. Влияние ионизирующего излучения низкой интенсивности на биполярные изделия электронной техники / А. А. Романенко // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2002. – Вып. 4. – С. 121-132.

10. Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения : монография / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.

Войти или Создать
* Забыли пароль?