Россия
Рассмотрена методика прогнозирования температурного «окна» радиационной защелки в интегральных схемах. Представлена разработанная эквивалентная электрическая схема. Приведены результаты численного и физического экспериментов.
интегральные схемы, эквивалентная схема, ионизирующее излучение, радиационная защелка
Разработана теоретико-экспериментальная методика прогнозирования температурного «окна» радиационной защелки. Методика характеризуется ограниченным набором входных параметров, что позволяет избежать трудоемкого анализа топологии интегральных схем (ИС), не застрахованного от ошибок. Предлагаемая эквивалентная электрическая схема четырехслойной паразитной структуры на основе двухтранзисторной аналогии показана на рис.1
1. Зебрев, Г.И. Схемотехническое моделирование радиационно-индуцированной защелки в КМОП-микросхемах при воздействии одиночных тяжелых ионов или импульсного излучения/ Г.И. Зебрев, М.Ю. Федоренко, Р.Г. Усейнов //Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2009. Вып. 2. С.10-14.
2. Панюшкин, А.Н. Математическое моделирование радиационного защелкивания в КМДП интегральных схемах / А.Н. Панюшкин, Н.Н. Панюшкин // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки.- 2007. - №4. - С. 25-26.
