СОЗДАНИЕ БАЗИСА ДЛЯ МИКРОСХЕМ СБОРА И ОБРАБОТКИ ДАННЫХ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В статье приводится описание микросхем для систем сбора и обработки данных. Рассматриваются их основные параметры на примере аналогового препроцессора 1273ПВ10Т. Дано описание структурной схемы микросхем, функциональных блоков, режимов работы, схемы подключения. Последовательный порт позволяет использовать микросхему 1273ПВ10Т в каскадном включении.

Ключевые слова:
Проектирование, аналоговые микросхемы, элементная база, последовательный порт, каскадное включение, микросхема 1273ПВ10Т.
Список литературы

1. Оценка адекватности моделирования воздействия тяжелых заряженных частиц на микросхемы / К. В. Зольников, А. И. Яньков, К. А. Чубур, А. С. Грошев, А. Л. Савченко // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8, № 4. – С. 10-12.

2. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем / В. К. Зольников, В. Н. Ачкасов, П. Р. Машевич, И. П. Потапов //Вестник Воронежского государственного технического университета. – 2006. - Т. 2, № 3. - С. 9-11.

3. Зольников, В. К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. – 2012. – № 1. – С. 27-30.

4. Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. – 2014. - № 6. – С. 94-98.

5. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. - № 2. – С. 5-9.

6. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии / В. К. Зольников, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т. 8, № 3. – С. 31-33.

7. Моделирование тока ионизации от воздействия тяжелых заряженных частиц при кластерных отказах структур микросхем / К.В. Зольников, А.И. Яньков, К.А. Чубур, А.С. Грошев, А.Л. Савченко // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость – 2016» : тезисы докладов 19 Всероссийской научно-практической конференции по радиационной стойкости электронных систем. – М. : МИФИ, 2016. – С. 111-112.

8. Схемотехнический и конструктивно-технологический базис ЭКБ космического назначения / В.К. Зольников, В.Э. Меерсон, О.В. Оксюта, Ю.К. Фортинский, К.А. Чубур, Ю.А. Чевычелов, А.И. Яньков // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем : материалы I Международной научно-практической конференции. – Тамбов, 2017. – С. 142-148.