Россия
Россия
Россия
Россия
В статье рассмотрены основные характеристики сигналов и процессов при проектировании микросхем с проектными нормами 0,09-0,18 мкм. Также описаны вопросы моделирования сигналов в системах автоматизированного проектирования (САПР), алгоритмы анализа шумов и связанных с ними эффектов.
САПР, микросхема, сигнал, характеризация, СБИС
1. Фортинский, Ю. К. Создание подсистемы верификации сложных цифровых микросхем с учетом радиационного воздействия : монография / Ю. К. Фортинский, В. К. Зольников, М. В. Конарев. - Воронеж : Воронежский государственный университет, 2011.- 207 с.
2. Achkasov, V. N. Controlling means of development electronic component basis : monography / V. N. Achkasov, V. K. Zolnicov, T. P. Belyaeva. - Science Book Publishing House, Lorman, MS, USA, 2012. - 130 p.
3. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т. 4, № 4 (16). - С. 280-291.
4. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9.
5. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 10-13.
6. Проблемы методологии процессов САПР при проектировании электронной компонентной базы специального назначения для оценки радиационной стойкости / В. В. Лавлинский, А. Л. Савченко // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2016. - № 4. - С. 190-198.
7. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 33-35.
8. Алгоритмическая основа моделирования отказов от воздействия тяжелых заряженных частиц в СБИС, выполненных по глубоко-субмикронным технологиям / К. В. Зольников, А. В. Ачкасов, А. И. Яньков, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 36-38.
9. Synopsys. - Режим доступа: https://www.synopsys.com/. - Загл. с экрана.
