Россия
В статье рассматриваются разработанные модели формирования электрических параметров МОП - транзисторов в MATLAB для компонентов САПР.
Модели, формализация процедур проектирования, САПР, МОП – транзисторы.
I. Введение
Развитие 3D моделирования компонентов САПР влечёт за собой необходимость формирования моделей, которые должны определять зависимости электрических параметров МОП – транзисторов. Такой подход обеспечивает пакет прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать особенности моделей формируемых на объектно-ориентированном языке программирования в требуемые свойства компонентов САПР. Одним из примеров такого взаимодействия является САПР Cadence, которая интегрирует в себе возможности использования объектно-ориентированного языка С++Builder и имитационных моделей пакета прикладных программ MATLAB с использованием методов синтеза виртуальной реальности языка VRML.
Поэтому данная статья описывает модели MATLAB для формирования электрических параметров МОП – транзисторов для компонентов САПР.
1. Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП-транзисторов для объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В.В. Лавлинский, А.Х.Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т.9. № 2. - С. 5-14.
2. Лавлинский, В. В. Модели формализации МОП-транзисторов на основе объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т.9. № 2. - С. 15-22.
3. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.
4. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.
5. Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.
6. Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.
7. Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4. №4 (16). - С.280-291.
8. Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимостей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП - транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2015. - № 4. - С. 27-33.
