VLSI DESIGN METHODOLOGY BASED ON LOW-LEVEL IONIZING RADIATION
Abstract and keywords
Abstract (English):
The technique of VLSI design, taking into account low-level ionizing radiation

Keywords:
CAD, radiation, chip.
Text

 

К программному обеспечению для разработки изделий элементной базы космического назначения, стойкой к воздействию радиации должны предъявляться следующие требования [1, 2]:

 

– использование передовых информационных технологий и программных средств на всех стадиях проектирования;

 

– соответствие программных средств решаемым задачам и обеспечение функциональной полноты разрабатываемых изделий элементной базы космического и специального назначения;

 

– обеспечение внутренней и внешней интеграции объектно-ориентированной прикладной платформы;

 

– универсальность программного обеспечения САПР;

 

– простота построения, освоения, применения и развития непосредственно на рабочих местах специалистами центра проектирования.

 

Использование передовых информационных технологий и программных средств предполагает возможность осуществления процесса разработки изделий ЭКБ, исходя из современных достижений и использования последних версий программного обеспечения современного уровня, необходимых для оптимизации и автоматизации проектирования.

 

Второе требование означает, что используемые программные средства САПР должны обеспечивать возможность проведения полного цикла работ, соответствующих задачам дизайн-центра в требуемые сроки и в полном объеме.

 

При этом должно быть обеспечено выполнение следующих поставленных задач:

 

1. Технологическая среда проектирования элементов ЭКБ должна основываться на современных принципах построения САПР и отражать сложившееся разделение функций между предприятиями изготовителями («кремниевой мастерской») и разработчиками (дизайн-центрами).

 

2. Используемое программное обеспечение должно обеспечить реализацию оптимальных проектных решений, свойственных классам изделий, в соответствии со специализацией дизайн-центра по обеспечению необходимых функциональных характеристик изделий, сроков разработки и бездефектности проектирования.

 

3. Средства САПР должны позволять разрабатывать изделия ЭКБ, способные обеспечить работоспособность бортовой аппаратуры в требуемом диапазоне механических нагрузок, температур, электромагнитного и радиационного излучения в соответствии с требованиями технического задания.

 

References

1. Zol´nikov, K. V. Proektirovanie radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol´nikov. Materialy mezhdunarodnoy konferentsii «Sistemnye problemy nadezhnosti, kachestva, komp´yuternogo modelirovaniya, kiberneticheskikh, informatsionykh i telekommunikatsionnykh tekhnologiy v innovatsionnykh proektakh». - 2013. - Ch. 1. - S. 51-52.

2. Zol´nikov, K. V. Modelirovanie vozdeystviya TZCh v aktivnykh oblastyakh elementov mikroskhem pri proektirovanii [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Smerek, A. V. Achkasov, V. A. Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 15-17.

Login or Create
* Forgot password?