In article process of impact of space ionization radiation on products of electronic component base is considered, the structure of an algorithm of calculation of firmness of CMOS VLSI at influence of factors of space is described.
design automation, radiation, chips, firmness.
К разрабатываемым изделиям электронной компонентной базы предъявляются требования длительного функционирования в космическом пространстве в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов в условиях длительного воздействия статического ионизационного излучения малой мощности [1, 2]. При проведении испытаний на стойкость изделий электронной компонентной базы к излучению разной интенсивности был обнаружен эффект уменьшения стойкости испытуемых изделий при уменьшении мощности воздействующего излучения. При мощности излучения 100 р/с изделие можно было аттестовать на стойкость 105. Так максимальная деградация параметров полупроводниковых приборов наблюдалась при мощности излучения 1 р/с. При этом значение стойкости составляло 104. При дальнейшем уменьшении мощности излучения, стойкость несколько повышается (рис. 1).
На рис. 2 представлена структура алгоритма расчета стойкости КМОП СБИС при воздействии факторов космического пространства.
1. Zol´nikova, A. N. Proektirovanie radiatsionno stoykoy elementnoy bazy novogo pokoleniya [Tekst] / A. N. Zol´nikova, V. N. Achkasov// Novye tekhnologii v nauchnykh issledovaniyakh, proektirovanii, upravlenii, proizvodstve : sbornik trudov vserossiyskoy konferentsii. - Voronezh : GOU VPO «Voronezhskiy gosudarstvennyy tekhnicheskiy universitet». - 2008. - S. 30-31.
2. Zol´nikov, V. K. Proektirovanie elementnoy bazy novogo pokoleniya [Tekst] / V. K. Zol´nikov, I. P. Potapov. Novye tekhnologii v nauchnykh issledovaniyakh, proektirovanii, upravlenii, proizvodstve : sbornik trudov vserossiyskoy konferentsii. - Voronezh : GOU VPO «Voronezhskiy gosudarstvennyy tekhnicheskiy universitet». - 2008. - S. 59-60.
