Russian Federation
Bases of the shaping 3D models are considered In article for designing a modern MOS - transistor with use the syntheses to virtual reality in purpose of the creation in CAD bases electronic component super large scale integration circuit.
CAD, MOS-transistors, syntheses of virtual reality.
I. Введение
В настоящее время основой использования методов синтеза виртуальной реальности для проектирования МОП–транзисторов являются процессы и методы формирования 3D моделей в виде структурных решёток материалов тех слоёв из которых формируются транзисторы, а также определение связей между параметрами материалов с электрическими параметрами электронной компонентной базы.
Для построения 3D моделей любых проектируемых транзисторов необходимо опираться на особенности их структур.
Так, например, имеются следующие структуры транзисторов: биполярные, планарные, КНИ или КНС, полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, полевые транзисторы с изолированным затвором и с индуцированным каналом, полевые транзисторы с изолированным затвором и со встроенным каналом, представленных на рис. 1.
1. Lavlinskiy, V. V. Analiz yacheek kristallicheskikh reshetok poluprovodnikovykh materialov dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri proektirovanii radiatsionno-stoykikh elementov elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 44-53.
2. Lavlinskiy, V. V. Informatsionnoe obespechenie sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov ASTPP [Elektronnyy resurs] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Politematicheskiy setevoy elektronnyy nauchnyy zhurnal Kubanskogo gosudarstvennogo agrarnogo universiteta. - 2012. - № 76. - S. 410-421.
3. Lavlinskiy, V. V. Osnova metoda proektirovaniya informatsionnykh ob´´ektov avtomatizatsii dlya sistem tekhnologicheskoy podgotovki proizvodstva na osnove sinteza virtual´noy real´nosti v usloviyakh nechetkogo predstavleniya parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvnnogo tekhnicheskogo universiteta. - 2010. - T.6. - № 11. - S. 192-198.
4. Lavlinskiy, V. V. Programmnaya realizatsiya modeley dlya sinteza virtual´noy real´nosti ASTPP dlya usloviy nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov pri proektirovanii sistem [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova. Vestnik Voronezhskogo instituta vysokikh tekhnologiy. - 2009. - № 5. - S. 184-187.
5. Lavlinskiy, V. V. Proektirovanie razlichnykh sloev kristallicheskoy reshetki elementov s ispol´zovaniem metodov ob´´ektno-orientirovannogo programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, S. I. Lykov, A. S. Aushra. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 2. - S. 16-19.
6. Lavlinskiy, V. V. Sintez virtual´noy real´nosti pri proektirovanii informatsionnykh ob´´ektov usloviyakh nechetkogo predstavleniya kontroliruemykh parametrov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, E. E. Obruchnikova, Yu. S. Serbulov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 3. - S. 37-44.
7. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.
8. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.
9. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.
10. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.
11. Lavlinskiy, V. V. Sovremennoe proektirovanie elektronnoy komponentnoy bazy [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy. Ekonomika. Innovatsii. Upravlenie kachestvom. - 2015. - № 1 (10). - S. 40-41.
12. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR Microcap na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 30-37.
13. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR SIMETRIX na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 38-43.
14. Lavlinskiy, V. V. Analiz funktsional´nykh vozmozhnostey SAPR WORKBENCH na primere skhemy MOP-tranzistora [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 43-54.
15. Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4 (16). - S. 280-291
16. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - №2. - S. 72-76.
