01066naa#a2200205#i#4500001001500000005001700015011001400032100004100046102000700087200024400094210016900338215001000507608004500517675006700562700005800629700002600687700006200713700007000775856001500845RU\\bibl\4538220241116134458.6##a2219-0767##a20210726b2021####ek#y0rusy0150####ca##aRU1#aСоздание поведенческой модели LDMOS транзистора на основе искусственной MLP нейросети и ее описание на языке Verilog-AeЖурнальная статья1#aВоронежcВоронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозоваd2021##a6 с.##aЖурнальная статья2local##aПрикладные науки. Общие вопросы. 60#1aПобедаgСергей Александрович#1aЧерныхgМ. И.#1aМакаренкоgФилипп Владимирович#1aЗольниковgКонстантин Владимирович4#anaukaru.ru