%0 Journal Article
%T Оценка влияния структурных особенностей кристалла на стойкость ДМОП транзисторов к ионизирующему излучению
%A Харченко, М.Э.
%A Дорохов, В.А.
%A Колесников, М.И.
%K Полевые транзисторы, МОП, ДМОП, MOS, DMOS, критическая напряженность электрического поля, стойкость, ионизирующее излучение, САПР TCAD.
%J Моделирование систем и процессов
%D 2022
%N 15
%P 8
%I Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова