Понятия "радиационная стойкость" и "радиационно-стойкая микросхема" представляют собой значительные упрощения, не учитывающие многообразия факторов, влияющих на функционирование электронных устройств в условиях ионизирующего излучения. Реальность такова, что существует широкий спектр источников и типов ионизирующего излучения, каждый из которых оказывает своеобразное воздействие на электронные компоненты. Следовательно, для различных областей применения требуется разработка специфических мер защиты, учитывающих конкретные наборы воздействующих факторов и уровни радиационного фона [6]. Микросхема, предназначенная для эксплуатации на низкой околоземной орбите, должна быть спроектирована с учетом влияния космических лучей, солнечной радиации и частиц, захваченных магнитным полем Земли. В то же время устройства, функционирующие в условиях аварийных ситуаций на ядерных объектах, подвергаются иным видам излучения.Из-за этого и возникает необходимость дифференцированного подхода к разработке методов повышения радиационной стойкости электронных систем. Универсальное решение, обеспечивающее полную защиту от всех возможных радиационных воздействий, практически недостижимо. Поэтому важно учитывать специфические условия эксплуатации и характерные для них радиационные факторы при выборе методов защиты.ПЛИС стали неотъемлемой частью таких систем благодаря своей гибкости и возможностям реконфигурации. Однако воздействие радиации особенно критично для ПЛИС, используемых в космической технике, поскольку ошибки, вызванные SEU, могут привести к сбоям в работе бортовых систем, нарушению передачи данных и даже к полной потере управляемости аппарата. Поэтому улучшение радиационной стойкости цифровых устройств является важной задачей при разработке электронных систем для космического применения.