Россия
АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
УДК 60 Прикладные науки. Общие вопросы
Исследован спектр излучения ИК-светодиода АЛ115В при токах 6,3 мА и 56 мА, а также, спектр с использованием InP (Ag) - светофильтра при 56 мА. Представлена классическая аппроксимация спектра спонтанного излучения прямозонного светодиода (без учёта сужения ширины запрещённой зоны за счёт высокой степени легирования СИД). Оценены аналитическая и экспериментальная ширины запрещённой зоны СИД. Представлен спектр пропускания InP (Ag) – светофильтра с учётом потерь на отражении в области фундаментальных переходов. Определена спектральная зависимость (фрагмент) коэффициента поглощения InP. Оценена погрешность. Предложено применение АЛ115В со светофильтром InP (Ag) с целью сужения спектральной полосы излучения с 53 нм до 34 нм.
Арсенид галлия, фосфид индия, светофильтр, спектральная полоса СИД, аппроксимация
1. Москвичев, А. В. Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью : специальность 01.04.07 : автореф. дис. … канд. ф-м наук / Андрей Викторович Москвичев. - Воронеж, 2002. - 12 с.
2. Макаренко, Ф. В. Моделирование релаксации дополнительного пика фотопроводимости InP:Cu/ Ф. В. Макаренко, А. А. Кожевников, В. А. Мельник // «Информационные технологии» : сборник материалов Международной научной конференции, посвящённой 15-летнему юбилею Международного института компьютерных технологий. - Воронеж, 2007. - С.58-66.
3. Влияние примесного излучения на собственную фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью / В. А. Мельник, Н. Н. Прибылов, Ф. В. Макаренко, С. И. Рембеза // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды X международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2008 - С. 52.
4. Кожевников, А. А. Автоматизация комплекса СДЛ-2 / А. А. Кожевников, Н. Н. Прибылов, Ф. В. Макаренко // Твердотельная электроника и микроэлектроника // межвузовский сборник научных трудов. - Воронеж, 2005. -С.19-22.
5. Макаренко, Ф. В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Сu и Fe : специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» : дисс. … канд. ф.-м. наук / Макаренко Филипп Владимирович. -Воронеж, 2008. - 159 с.
6. ГОСТ 26148-84. Фотометрия. Термины и определения. - М. : Стандартинформ, 1984. - 35 с.
7. Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP/ А. В. Никонов, Н. М. Куляхтина, К. О. Болтарь., Н. И. Яковлева // Прикладная физика. - 2015. - № 1. -С. 83-86.
8. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов. - М.: Наука, 1977. - 184 с.
9. Лоткова, Э. И. Электрические и оптические свойства полупроводников / Э. И. Лоткова // Труды ФИАН.- 1966. - Т. 37. - С. 118.
10. Влияние температуры на спектр фотопроводимости фосфида индия, компенсированного медью / Ф. В. Макаренко, Н. Н. Прибылов, С. И. Рембеза, В. А. Мельник // Твердотельная электроника и микроэлектроника : межвузовский сборник научных трудов. -Воронеж: ВГТУ, 2007. - С.55-59.
11. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. -М. : Мир, 1984. -Кн. 2. - 341 с.
12. Основы оптоэлектроники / Я. Суэмацу, С. Катаока, К. Кисино, Я. Кокубун, Т. Судзуки, О. Исии, С. Ёнэдзава - М. : Мир, 1988.- 89 с.
