<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">3731</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/6083</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">VLSI Design Methodology based on low-level ionizing radiation</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Методика проектирования СБИС с учетом низкоинтенсивного ионизирующего излучения</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Скляр</surname>
       <given-names>В. А.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Sklyar</surname>
       <given-names>V. А.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2014-10-29T00:00:00+03:00">
    <day>29</day>
    <month>10</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2014-10-29T00:00:00+03:00">
    <day>29</day>
    <month>10</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <volume>7</volume>
   <issue>2</issue>
   <fpage>28</fpage>
   <lpage>32</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/3731/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/3731/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Рассмотрена методика проектирования СБИС с учетом низкоинтенсивного ионизирующего излучения</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The technique of VLSI design, taking into account low-level ionizing radiation</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>САПР</kwd>
    <kwd>радиация</kwd>
    <kwd>микросхема</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>CAD</kwd>
    <kwd>radiation</kwd>
    <kwd>chip.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p> К программному обеспечению для разработки изделий элементной базы космического назначения, стойкой к воздействию радиации должны предъявляться следующие требования [1, 2]: – использование передовых информационных технологий и программных средств на всех стадиях проектирования; – соответствие программных средств решаемым задачам и обеспечение функциональной полноты разрабатываемых изделий элементной базы космического и специального назначения;  – обеспечение внутренней и внешней интеграции объектно-ориентированной прикладной платформы; – универсальность программного обеспечения САПР;  – простота построения, освоения, применения и развития непосредственно на рабочих местах специалистами центра проектирования. Использование передовых информационных технологий и программных средств предполагает возможность осуществления процесса разработки изделий ЭКБ, исходя из современных достижений и использования последних версий программного обеспечения современного уровня, необходимых для оптимизации и автоматизации проектирования. Второе требование означает, что используемые программные средства САПР должны обеспечивать возможность проведения полного цикла работ, соответствующих задачам дизайн-центра в требуемые сроки и в полном объеме.  При этом должно быть обеспечено выполнение следующих поставленных задач: 1. Технологическая среда проектирования элементов ЭКБ должна основываться на современных принципах построения САПР и отражать сложившееся разделение функций между предприятиями изготовителями («кремниевой мастерской») и разработчиками (дизайн-центрами). 2. Используемое программное обеспечение должно обеспечить реализацию оптимальных проектных решений, свойственных классам изделий, в соответствии со специализацией дизайн-центра по обеспечению необходимых функциональных характеристик изделий, сроков разработки и бездефектности проектирования. 3. Средства САПР должны позволять разрабатывать изделия ЭКБ, способные обеспечить работоспособность бортовой аппаратуры в требуемом диапазоне механических нагрузок, температур, электромагнитного и радиационного излучения в соответствии с требованиями технического задания. </p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, К. В. Проектирование радиационно-стойких микросхем [Текст] / К. В. Зольников // Материалы международной конференции «Системные проблемы надежности, качества, компьютерного моделирования, кибернетических, информационых и телекоммуникационных технологий в инновационных проектах». - 2013. - Ч. 1. - С. 51-52.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, K. V. Proektirovanie radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol&amp;#180;nikov. Materialy mezhdunarodnoy konferentsii «Sistemnye problemy nadezhnosti, kachestva, komp&amp;#180;yuternogo modelirovaniya, kiberneticheskikh, informatsionykh i telekommunikatsionnykh tekhnologiy v innovatsionnykh proektakh». - 2013. - Ch. 1. - S. 51-52.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, К. В. Моделирование воздействия ТЗЧ в активных областях элементов микросхем при проектировании [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Смерек, А. В. Ачкасов, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2014. - № 1. - С. 15-17.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, K. V. Modelirovanie vozdeystviya TZCh v aktivnykh oblastyakh elementov mikroskhem pri proektirovanii [Tekst] / K. V. Zol&amp;#180;nikov, V. A. Smerek, A. V. Achkasov, V. A. Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2014. - № 1. - S. 15-17.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
