Введение. С момента открытия в 2004 году уникальные свойства графена являются объектом повышенного внимания исследователей [1, 2]. Высокая подвижность носителей заряда в графене при комнатной температуре определяет широкие перспективы его использования для создания элементов и устройств спинтроники. Энергетической щелью в зонном спектре графена можно управлять, используя различные (диэлектрические [3, 4] и металлические [5]) подложки, графе-новые наноленты [6—8] и электрическое поле [9]. Влияние, например, диэлектрической подложки А12О3(0001), оказываемое на зонный спектр графена, заключается в появлении в окрестности уровня Ферми энергетической щели шириной порядка 55 мэВ [3]. Данный разрыв связан с неэквивалентным расположением атомов алюминия подложки по отношению к атомам углерода.         Графеновые наноленты интересны тем, что обладают нелинейным законом дисперсии для низкоэнергетического спектра п-электронов [7, 8]. Благодаря квантово-размерному эффекту наноленты содержат конечную запрещённую полосу Ед. Её величина зависит от ориентации границ нанолент относительно кристаллической решётки графена. Отличительной особенностью электронного спектра нанолент типа «зигзаг» {zigzag graphene nanoribbon — ZGNR) является наличие локализованных состояний на уровне Ферми, которые обусловлены атомами границ [8]. Наличие локализованных электронных состояний в графеновых нанолентах экспериментально установлено методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES) [10, 11].