<?xml version="1.0"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">64982</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/2219-0767-2023-16-2-85-93</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Физико-математические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Физико-математические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">Routing buses impact analysis on the results on modeling standard digital cell on CMOS 28 nm</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Анализ влияния шин трассировки на результаты моделирования стандартных цифровых элементов по технологии КМОП 28 нм</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Ильин</surname>
       <given-names>Сергей Алексеевич</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Il'in</surname>
       <given-names>Sergey Alekseevich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Копейкин</surname>
       <given-names>Дмитрий Юрьевич</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Kopeykin</surname>
       <given-names>Dmitriy Yur'evich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-2"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Ласточкин</surname>
       <given-names>Олег Викторович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Lastochkin</surname>
       <given-names>Oleg Viktorovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-3"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Полунина</surname>
       <given-names>Ирина Евгеньевна</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Polunina</surname>
       <given-names>Irina Evgen'evna</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-4"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Шипицин</surname>
       <given-names>Дмитрий Святославович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Shipicin</surname>
       <given-names>Dmitriy Svyatoslavovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-5"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-2">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-3">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-4">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-5">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2023-06-14T12:24:33+03:00">
    <day>14</day>
    <month>06</month>
    <year>2023</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2023-06-14T12:24:33+03:00">
    <day>14</day>
    <month>06</month>
    <year>2023</year>
   </pub-date>
   <volume>16</volume>
   <issue>2</issue>
   <fpage>85</fpage>
   <lpage>93</lpage>
   <history>
    <date date-type="received" iso-8601-date="2023-06-12T00:00:00+03:00">
     <day>12</day>
     <month>06</month>
     <year>2023</year>
    </date>
   </history>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/64982/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/64982/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>В работе проведено исследование влияния шин трассировки на временные характеристики (длительность фронта и задержку переключения) стандартных цифровых элементов вследствие проявления LDE- и паразитных эффектов. Предложен набор специализированных тестовых структур для учёта таких эффектов в слоях от первого до четвертого металла включительно. Тестовые структуры представляет собой некоторые из возможных случаев взаимного расположения шин трассировки и топологии стандартной ячейки. Выполнены паразитная экстракция и характеризация получившегося нетлиста для каждой тестовой структуры. Комплект нетлистов с паразитными параметрами отхарактеризован с получением Liberty-файлов. Показано, что среднее отклонение временных характеристик составило от 1,8 до 3,9 % по сравнению с исходной структурой без шин трассировки. Наибольшее относительное отклонение по задержке переключения характерно для наименьшей нагрузочной ёмкости, тогда как от величины фронта относительное отклонение характеристик ячеек зависит сравнительно слабо. На основе проведённого исследования сформулированы рекомендации для модификации маршрута экстракции паразитных параметров стандартных цифровых элементов с учётом шин трассировки – для повышения точности их моделирования.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>In this paper, the influence of routing buses on the timing characteristics (rise/fall time and switching delay) of standard digital elements due to the manifestation of LDE and parasitic effects was studied. A set of specialized test structures to take into account such effects in layers from the first to the fourth metal was proposed. The test structures provide some of the possible cases of the relative position of the routing buses and the layout of the standard cell. Parasitic extraction and characterization of the resulting netlist were performed for each test structure. A set of netlists with parasitic parameters was characterized. It is shown that the average deviation of the temporal characteristics ranged from 1.8 to 3.9% compared to the original structure without routing buses. The largest relative deviation in switching delay is typical for the smallest load capacity, while the relative deviation of cell characteristics depends relatively weakly on the front value. On the basis of the study, recommendations were formulated for modifying the route of extraction of parasitic parameters of standard digital elements, taking into account the routing buses, in order to increase the accuracy of their modeling.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Библиотека стандартных цифровых элементов</kwd>
    <kwd>шина трассировки</kwd>
    <kwd>LDE-эффект</kwd>
    <kwd>экстракция паразитных элементов</kwd>
    <kwd>моделирование с учётом паразитных элементов.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>Digital standard cell library</kwd>
    <kwd>routing</kwd>
    <kwd>LDE effect</kwd>
    <kwd>standard cell parasitic extraction</kwd>
    <kwd>simulation with parasitic parameters modeling</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p></p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Шелепин, Н.А. Физические основы моделирования паразитных элементов КНИ КМОП СБИС / Н.А. Шелепин // Нано- и микросистемная техника. - 2015. - № 5(178). - С. 9-16.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Shelepin, N.A. Fizicheskie osnovy modelirovaniya parazitnyh elementov KNI KMOP SBIS / N.A. Shelepin // Nano- i mikrosistemnaya tehnika. - 2015. - № 5(178). - S. 9-16.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Красников, Г.Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм / Г.Я. Красников // Наноиндустрия. - 2020. - Т. 13, № S5-1(102). - С. 13-19. - DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.5s.13.19.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Krasnikov, G.Ya. Vozmozhnosti mikroelektronnyh tehnologiy s topologicheskimi razmerami menee 5 nm / G.Ya. Krasnikov // Nanoindustriya. - 2020. - T. 13, № S5-1(102). - S. 13-19. - DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.5s.13.19.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Особенности технологии, компонентов и библиотек уровня 28 нм / Г.Я. Красников, Н.А. Шелепин, Д.С. Шипицин, П.В. Игнатов // 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули»: сборник тезисов. -  Алушта, 2019. - С. 45-47.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Osobennosti tehnologii, komponentov i bibliotek urovnya 28 nm / G.Ya. Krasnikov, N.A. Shelepin, D.S. Shipicin, P.V. Ignatov // 5-ya Mezhdunarodnaya nauchnaya konferenciya «Elektronnaya komponentnaya baza i mikroelektronnye moduli»: sbornik tezisov. -  Alushta, 2019. - S. 45-47.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Власов, А.О. Оптимизация маршрута проектирования топологии высокопроизводительного блока по технологии 28нм / А.О. Власов, А.А. Горелов, Е.К. Эмин // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. - 2018. - №1. - С. 38-44. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-38-44.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Vlasov, A.O. Optimizaciya marshruta proektirovaniya topologii vysokoproizvoditel'nogo bloka po tehnologii 28nm / A.O. Vlasov, A.A. Gorelov, E.K. Emin // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem. - 2018. - №1. - S. 38-44. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-38-44.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">A Multi-level Analog IC Design Flow for Fast Performance Estimation Using Template-based Layout Generators and Structural Models / B. Prautsch, T. Markwirth, F. Schenkel [et al.] // 2022 18th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Villasimius, Italy, 2022. - Pp. 1-4. - DOI: 10.1109/SMACD55068.2022.9816280.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">A Multi-level Analog IC Design Flow for Fast Performance Estimation Using Template-based Layout Generators and Structural Models / B. Prautsch, T. Markwirth, F. Schenkel [et al.] // 2022 18th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Villasimius, Italy, 2022. - Pp. 1-4. - DOI: 10.1109/SMACD55068.2022.9816280.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Reinforcement Learning Driven Physical Synthesis : (Invited Paper) / Z. He, L. Zhang, P. Liao [et al.] // 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State &amp; Integrated Circuit Technology (ICSICT), Kunming, China, 2020. - Pp. 1-4. - DOI: 10.1109/ICSICT49897.2020.9278350.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Reinforcement Learning Driven Physical Synthesis : (Invited Paper) / Z. He, L. Zhang, P. Liao [et al.] // 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State &amp; Integrated Circuit Technology (ICSICT), Kunming, China, 2020. - Pp. 1-4. - DOI: 10.1109/ICSICT49897.2020.9278350.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Efficient post-layout simulation method using Auto layout effect modification module in Reinforcement learning for optimizing circuit / J. Jeong, J. Yang, T. -H. Kim [et al.] // 2022 IEEE International Conference on Consumer Electronics-Asia (ICCE-Asia), Yeosu, Korea, 2022. - Pp. 1-3. - DOI: 10.1109/ICCE-Asia57006.2022.9954851.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Efficient post-layout simulation method using Auto layout effect modification module in Reinforcement learning for optimizing circuit / J. Jeong, J. Yang, T. -H. Kim [et al.] // 2022 IEEE International Conference on Consumer Electronics-Asia (ICCE-Asia), Yeosu, Korea, 2022. - Pp. 1-3. - DOI: 10.1109/ICCE-Asia57006.2022.9954851.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Kitamura, K. A two-step routing method with wire length budgeting for PTL routing of SFQ logic circuits / K. Kitamura, N. Takagi, K. Takagi // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - Vol. 1590. - P. 012043. - DOI: 10.1088/1742-6596/1590/1/012043.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kitamura, K. A two-step routing method with wire length budgeting for PTL routing of SFQ logic circuits / K. Kitamura, N. Takagi, K. Takagi // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - Vol. 1590. - P. 012043. - DOI: 10.1088/1742-6596/1590/1/012043.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B9">
    <label>9.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Рыжова, Д.И. Алгоритм межвентильного ресинтеза на транзисторном уровне для автоматизированного проектирования микроэлектронных схем / Д.И. Рыжова, Н.О. Васильев, Т.Д. Жукова // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. - 2018. -№1. - С. 193-198. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-193-198.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Ryzhova, D.I. Algoritm mezhventil'nogo resinteza na tranzistornom urovne dlya avtomatizirovannogo proektirovaniya mikroelektronnyh shem / D.I. Ryzhova, N.O. Vasil'ev, T.D. Zhukova // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem. - 2018. -№1. - S. 193-198. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-193-198.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B10">
    <label>10.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Железников, Д.А. Исследование механизма разрыва и перетрассировки на этапе топологического синтеза в базисе реконфигурируемых систем на кристалле / Д.А. Железников, М.А. Заплетина, В.М. Хватов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. - 2018. - №1. - С. 188-192. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-188-192.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zheleznikov, D.A. Issledovanie mehanizma razryva i peretrassirovki na etape topologicheskogo sinteza v bazise rekonfiguriruemyh sistem na kristalle / D.A. Zheleznikov, M.A. Zapletina, V.M. Hvatov // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem. - 2018. - №1. - S. 188-192. - DOI: 10.31114/2078-7707-2018-1-188-192.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B11">
    <label>11.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лебедев, О.Б. Распределение соединений по слоям при многослойной глобальной трассировке / О.Б. Лебедев, Б.К. Лебедев, А.Н. Щелоков // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2022. - №3. - С. 24-31. - DOI: 10.31114/2078-7707-2022-3-24-31.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lebedev, O.B. Raspredelenie soedineniy po sloyam pri mnogosloynoy global'noy trassirovke / O.B. Lebedev, B.K. Lebedev, A.N. Schelokov // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2022. - №3. - S. 24-31. - DOI: 10.31114/2078-7707-2022-3-24-31.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B12">
    <label>12.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Handling the Effects of Variability and Layout Parasitics in the Automatic Synthesis of LNAs / F. Passos [et al.] // 2018 15th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Prague, Czech Republic, 2018. - Pp. 1-164. - DOI: 10.1109/SMACD.2018.8434887.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Handling the Effects of Variability and Layout Parasitics in the Automatic Synthesis of LNAs / F. Passos [et al.] // 2018 15th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Prague, Czech Republic, 2018. - Pp. 1-164. - DOI: 10.1109/SMACD.2018.8434887.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B13">
    <label>13.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Transistor Placement for Automatic Cell Synthesis through Boolean Satisfiability / M. Cardoso, A. Bubolz, J. Cortadella [et al.] // 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Seville, Spain, 2020. - Pp. 1-5. - DOI: 10.1109/ISCAS45731.2020.9181137.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Transistor Placement for Automatic Cell Synthesis through Boolean Satisfiability / M. Cardoso, A. Bubolz, J. Cortadella [et al.] // 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Seville, Spain, 2020. - Pp. 1-5. - DOI: 10.1109/ISCAS45731.2020.9181137.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B14">
    <label>14.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Jo, K. Optimal Transistor Placement Combined with Global In-cell Routing in Standard Cell Layout Synthesis / K. Jo, T. Kim, // 2021 IEEE 39th International Conference on Computer Design (ICCD), Storrs, CT, USA, 2021. - Pp. 517-524. - DOI: 10.1109/ICCD53106.2021.00085.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Jo, K. Optimal Transistor Placement Combined with Global In-cell Routing in Standard Cell Layout Synthesis / K. Jo, T. Kim, // 2021 IEEE 39th International Conference on Computer Design (ICCD), Storrs, CT, USA, 2021. - Pp. 517-524. - DOI: 10.1109/ICCD53106.2021.00085.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B15">
    <label>15.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">On the Exploration of Design Tradeoffs in Analog IC Placement with Layout-dependent Effects / R. Martins, N. Lourenço, R. Póvoa, N. Horta // 2019 16th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Lausanne, Switzerland, 2019. - Pp. 25-28. - DOI: 10.1109/SMACD.2019.8795297.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">On the Exploration of Design Tradeoffs in Analog IC Placement with Layout-dependent Effects / R. Martins, N. Lourenço, R. Póvoa, N. Horta // 2019 16th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD), Lausanne, Switzerland, 2019. - Pp. 25-28. - DOI: 10.1109/SMACD.2019.8795297.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B16">
    <label>16.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Исследование и анализ изменения характеристик стандартных цифровых элементов на этапе размещения топологии для технологии КМОП 28 нм / С. А. Ильин, Д. Ю. Копейкин, О. В. Ласточкин [и др.] // Наноиндустрия. - 2021. - Т. 14, № S7(107). - С. 379-381. - DOI 10.22184/1993-8578.2021.14.7s.379.381.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Issledovanie i analiz izmeneniya harakteristik standartnyh cifrovyh elementov na etape razmescheniya topologii dlya tehnologii KMOP 28 nm / S. A. Il'in, D. Yu. Kopeykin, O. V. Lastochkin [i dr.] // Nanoindustriya. - 2021. - T. 14, № S7(107). - S. 379-381. - DOI 10.22184/1993-8578.2021.14.7s.379.381.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B17">
    <label>17.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Надин, А.С. Метод повышения точности схемотехнического моделирования на основе учета LDE-параметров для технологии 28 нм / А.С. Надин, А.В. Тюрин, Д.С. Шипицин // Наноиндустрия. - 2020. - Т. 13. - № S4(99). - С. 350-352.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Nadin, A.S. Metod povysheniya tochnosti shemotehnicheskogo modelirovaniya na osnove ucheta LDE-parametrov dlya tehnologii 28 nm / A.S. Nadin, A.V. Tyurin, D.S. Shipicin // Nanoindustriya. - 2020. - T. 13. - № S4(99). - S. 350-352.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B18">
    <label>18.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Медведева, О.И. Исследование влияния LDE на выбор топологии стандартных ячеек по технологии 28 нм / О.И. Медведева, М.Ю. Семёнов, Ю.А. Титов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2021. - № 3. - С. 152-158. - DOI: 10.31114/2078-7707-2021-3-152-158.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Medvedeva, O.I. Issledovanie vliyaniya LDE na vybor topologii standartnyh yacheek po tehnologii 28 nm / O.I. Medvedeva, M.Yu. Semenov, Yu.A. Titov // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2021. - № 3. - S. 152-158. - DOI: 10.31114/2078-7707-2021-3-152-158.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B19">
    <label>19.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Сравнительный анализ параметров стандартных цифровых элементов на примере библиотек в базисе технологии КМОП 28 нм / С.А. Ильин, Д.Ю. Копейкин, О.В. Ласточкин, Д.С. Шипицин // Наноиндустрия. - 2020. - Т. 13, № S4(99). - С. 268-271.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Sravnitel'nyy analiz parametrov standartnyh cifrovyh elementov na primere bibliotek v bazise tehnologii KMOP 28 nm / S.A. Il'in, D.Yu. Kopeykin, O.V. Lastochkin, D.S. Shipicin // Nanoindustriya. - 2020. - T. 13, № S4(99). - S. 268-271.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B20">
    <label>20.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Загидуллина, О.Р. Исследование LDE-эффектов и методов аттестации файлов DRC для субмикронных технологий 90-28 нм / О.Р. Загидуллина, А.С. Надин // Наноиндустрия. - 2020. - № S96-2. - С. 619-622. - DOI 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.619.622.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zagidullina, O.R. Issledovanie LDE-effektov i metodov attestacii faylov DRC dlya submikronnyh tehnologiy 90-28 nm / O.R. Zagidullina, A.S. Nadin // Nanoindustriya. - 2020. - № S96-2. - S. 619-622. - DOI 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.619.622.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
