Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 42708 10.12737/2219-0767-2021-14-1-22-27 Технические науки Технические науки Control of ECB tests depending on their operating conditions Управление испытаниями ЭКБ в зависимости от условий их эксплуатации Козюков Александр Евгеньевич Kozyukov Aleksandr Evgen'evich Меерсон Вера Эдуардовна Meerson Vera Eduardovna Оксюта Олеся Владимировна Oksyuta O. V. Ачкасов Александр Владимирович Achkasov A. Vladimirovich АО "Научно-исследовательский институт космического приборостроения" Россия АО "Научно-исследовательский институт космического приборостроения" Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov 14 1 22 27 https://naukaru.ru/en/nauka/article/42708/view

В работе рассмотрены требования к испытательным стендам для исследования появления одиночных радиационных эффектов в электронной компонентной базы (ЭКБ) при повышенной и пониженной температурах. Представлены примеры влияния температурного режима на уровни стойкости ЭКБ, а также влияние пассивного и активного режима работы радиоэлектронной аппаратуры на появление одиночных событий.

The paper considers the requirements for test benches for studying the appearance of single radiation effects in the electronic component base (ECB) at elevated and low temperatures. Examples of the influence of the temperature regime on the levels of ECB stability, as well as the influence of the passive and active modes of radio-electronic equipment on the occurrence of single events are presented.

 Электронная компонентная база (ЭКБ) испытания одиночный радиационный эффект космическое пространство (КП) ионизирующее излучение (ИИ) КМОП-технология. electronic component base (ECB) tests single radiation effect outer space (OS) ionizing radiation (IR) CMOS technology

Митин, Е.В. Проблемные вопросы испытаний ЭКБ на стойкость к одиночным радиационным эффектам / Е.В. Митин // Петербургский журнал электроники. - 2014. - № 4 (81). - С. 44-52. Mitin, E.V. Problemnye voprosy ispytaniy EKB na stoykost' k odinochnym radiacionnym effektam / E.V. Mitin // Peterburgskiy zhurnal elektroniki. - 2014. - № 4 (81). - S. 44-52. Создание средств контроля работоспособности в процессе испытаний / В.К. Зольников, А.Ю. Кулай, И.И. Струков [и др.] // Информационно-сенсорные системы в теплофизических исследованиях : сборник научных трудов. - Тамбов, 2018. - С. 226-228. Sozdanie sredstv kontrolya rabotosposobnosti v processe ispytaniy / V.K. Zol'nikov, A.Yu. Kulay, I.I. Strukov [i dr.] // Informacionno-sensornye sistemy v teplofizicheskih issledovaniyah : sbornik nauchnyh trudov. - Tambov, 2018. - S. 226-228. Отработка методики бесконтактного нагрева кристаллов ЭКБ при испытаниях на стойкость к одиноким радиационным дефектам / Е.В. Митин, Е.Н. Некрасова, В.С. Анашин, А.Е. Козюков // Петербургский журнал электроники. - 2017. - № 2-3 (87-88). - С. 117-122. Otrabotka metodiki beskontaktnogo nagreva kristallov EKB pri ispytaniyah na stoykost' k odinokim radiacionnym defektam / E.V. Mitin, E.N. Nekrasova, V.S. Anashin, A.E. Kozyukov // Peterburgskiy zhurnal elektroniki. - 2017. - № 2-3 (87-88). - S. 117-122. Kuboyama, S. A Bias Voltage Dependence of Trapped Hole Annealing and Its Measurement Technique / S. Kuboyama, T. Goka, T. Tamura // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-38. - 1991. - Pp. 1140. Kuboyama, S. A Bias Voltage Dependence of Trapped Hole Annealing and Its Measurement Technique / S. Kuboyama, T. Goka, T. Tamura // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-38. - 1991. - Pp. 1140. Challenges and approaches to radiation hardness control of electronic components to in-space high-energy particles exposure / V. Anashin, P. Chubunov, A. Koziukov, A Konyukhov., G. Protopopov // Proceedings - 2018 20th International Symposium on High-Current Electronics, ISHCE 2018. - Tomsk, 2018. - С. 31-34. - DOI: 10.1109/ISHCE.2018.8521206 Challenges and approaches to radiation hardness control of electronic components to in-space high-energy particles exposure / V. Anashin, P. Chubunov, A. Koziukov, A Konyukhov., G. Protopopov // Proceedings - 2018 20th International Symposium on High-Current Electronics, ISHCE 2018. - Tomsk, 2018. - S. 31-34. - DOI: 10.1109/ISHCE.2018.8521206 Моделирование работы микросхемы для мехатронного устройства в космической среде / К.В. Зольников, В.П. Крюков, А.Ю. Кулай [и др.] // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем : материалы 1-й научно-практической международной конференции. - Тамбов, 2017. - С. 370-376. Modelirovanie raboty mikroshemy dlya mehatronnogo ustroystva v kosmicheskoy srede / K.V. Zol'nikov, V.P. Kryukov, A.Yu. Kulay [i dr.] // Informacionnye tehnologii v upravlenii i modelirovanii mehatronnyh sistem : materialy 1-y nauchno-prakticheskoy mezhdunarodnoy konferencii. - Tambov, 2017. - S. 370-376. Fleetwood, D.M. New insights into radiation-induced oxide-trap charge through thermally-stimulated current (TSC) measurement and analysis / D.M. Fleetwood, S.L. Miller, R.A. Reber [et. al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-39. - 1992. - Pp. 2192. Fleetwood, D.M. New insights into radiation-induced oxide-trap charge through thermally-stimulated current (TSC) measurement and analysis / D.M. Fleetwood, S.L. Miller, R.A. Reber [et. al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-39. - 1992. - Pp. 2192.